GaAs／Ge太阳电池抗电子辐射研究.pdfVIP

维普资讯 电源技 术 毒翻’露 目 脑 酶 GaAs／Ge太阳电池抗电子辐射研究 张新辉 (中国电子科技集团公司第十八研究所，天津 300381) 摘要：锗砷化镓 (GaAs／Ge)太阳电池抗电子辐射试验研究是高性能航天应用太阳能电源的基础研究项 目。对这种电池 进行了1×1013ec／m 、1×1014e／cm 、6×104e／cm 、1×101Wcm 、1．69~1015e／cm2等辐射总量的试验。在 1x10~e／cm2辐 射下，开路电压、短路电流和转换效率分别衰减了9．27％、11．25％和19．35％。电子辐射后，电池在长波长方光谱响应衰降 较多，电池深能级瞬态谱分析表明带隙中引入了0．42eV、0．43eV的深能级。为提高电池的耐辐射性能，要改进电池制 作工艺，提高电池各半导体层均匀性，减小电池结深和减小电池有效部分的厚度。 关键词：太阳电池；GaAs／Ge太阳电池；电子辐射 中图分类号：TM914。4 文献标识码：A 文章编号：1002—087X(2004)01—0017-05 Studyonanti—electronradiationofGaAs／Gesolarcells ZHANGXin-hui (TianjmInstituteofPowerSources．Tianjin300381，China) AbsI瑚Ict：StudyonradiationresistancepropertiesofGaAs／Gesolarcellwasabasicresearchitem inthefieldofhighperfor- manceaerospacesolarpowersources．GaAs／Gesolra cellswereradiatedwith1MeVelectronsfor1x10。3e／era2、1x 10H e／cm 、6× 10I4e／cm2、1× 10 e／cm 1．69~ 10 e／cm ．Afterelectronradiation with 1× 10 e／cm ，hteopencireu／tvoltage， shortcircuitcurrentnadefficiency reduced 9．27％ 、11．25％ and 19．35％respectively．Afterelecrtonradiation． decreaseof opticalresponsewasmore obviously in longerwavelengthpart，deep leveltransientspecrtoscopynaalysisdemonstratesthat thedeeplevelin 0．42eV 、0。43eV havebeenintroducedtobandgap．Inordertoraiseelecrtonirradiationresistanceperfor- mnaceoflhesolracells，itisnecessarytoimprovemanufactureprocessandlayerhomogeneityofsolracells，reducejune· tiondepthnadactivelayerthicknessofsolra cells． Kcy ：solra cell；GaAs／Gesolarcell；elecrtonradiation 1简介 辐射。取得数据再与实际情况进行比较。对太阳电池进行电子 辐射和质子辐射具有等效作用，所以对太阳电池进行不同能 GaAs／Ge太阳电池具有转换效率高、耐高温、耐辐射等优