《A high voltage SOI pLDMOS with a partial interface equipotential floating buried layer》.pdfVIP

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2015-11-11 发布于河南
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《A high voltage SOI pLDMOS with a partial interface equipotential floating buried layer》.pdf

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《A high voltage SOI pLDMOS with a partial interface equipotential floating buried layer》.pdf

Vo1．34，No．7 JournalofSemiconductors Julv2013 A highvoltageSO1pLDM OSwithapartialinterfaceequipotentialfloating buriedlayer WuLijuan(吴丽娟)，2，．，ZhangWentong(~ _)2，ZhangBo(张波)2，andLiZhaoji(~ )2 1CollegeofCommunicationEngineering ChengduUniversityofInformationTechnology,Chengdu610225，China ， 2StateKeyLaboratoryofElectronicThinFilmsandIntegratedDevicesUniversityofElectronicScienceandTechnology ， ofChina，Chengdu610054，China Abstract：Anovelsilicon．on．insulatorfSOI)high．voltagepLDMOSispresentedwithapavia1interfaceequipo． tentialfloatingburiedlayerrFBL1anditsanalyticalmodelisanalyzedinthispaper．Thesurfaceheavilydoped P—toplayers，interfacefloatingburiedN十／P十layers，andthree．stepfieldplatesaredesignedcarefullyintheFBL S0IpLDMOStooptimizetheelectricfielddistributionofthedriftregionandreducethespecificresistance．On theconditionofESIMOX(epoxyseparatedbyimplantedoxygen)，ithasbeenshownthatthebreakdownvoltage oftheFBLSOIpLDMOSisincreasedfrom -232V oftheconventionalSOIto-425V andthespecificresistance isreducedrfom 0．88to0．2424Q．cm2． 0n sn Keywords：FBL；SOI；ENDIF；pLDMOS；Ron ， sp DoI：10．1088／1674—4926／34／7／074009 EEACC：2570 1．IntrOductiOn andsubstratelayer,Up— top1andUp．toD2aretheimpuritycon— centrationsofthesurfacePtypedopingregion，respectively． Thesilicononinsulator(SOI)HVIC (highvoltageinte．