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《n-Si (metal-insulator-semiconductor) structures》.pdf
Chin.Phys.B Vo1.22,No.11(2013)117310
Temperature·dependentdielectricpropertiesof
Au/Si3N4/n-Si(metal-insulator-semiconductor)structures术
T.Ataseven andA.1’ataro lu十
PhysicsDepartment,FacultyofSciences,GaziUniversity,Teknikokullar,Ankara06500,Turkey
(Received20January2013;revisedmanuscriptreceived7May2013)
ThedielectricpropertiesofAu/Si3N4/n—Si(MIS)structuresarestudiedusingtheadmittancemeasurementsf(1一 and
G/∞—V)eachasafunctionoftemperatureinarangefrom80Kto400Kfortworfequenciesf100kHzand1MHz).
Experimentalresultsshowthatboththedielectricconstant(£)andthedielectricloss(8,]increasewithtemperaturein—
creasinganddecreasewithrfequencyincreasing.Themeasurementsalsoshowthattheacconductivity(aac)increaseswith
temperatureandrfequencyincreasing.The1n0cversus1000/Tplotshowstwolinearregionswithdifferentslopeswhich
correspondtolow (120K-240K)andhigh(280K—400K)temperaturerangesforthetwofrequencies.Itisfoundthat
activationenergyincreaseswithrfequencyandtemperatureincreasing.
Keywords:Au/Si3N4/n—Si(metal-insulator-semiconductor)structure,admittancemeasurements,dielectric
properties,acconductivity
PACS:73.40.Qv,84.37.+q,77.22,Ch,72.20.-i DOh 10.1088/1674—1056/22/11/117310
1.Introduction dependencesofelectricaland dielecrtic propertiesofthe
Themetal-semiconductor(MS)structurehasbecomean Au/Si3N4/n—Si(MIS)structures.Thecapacitance-voltage(c-
importantandessentialpartofsemiconductordevices,and V)andconductance—voltage(a/o—v1characteristicshave
studiesofitraevitaltothedevelopmentoftechnology.l【一8】 beenmeasuredinarfequencyrangeof1kHz-1MHzatroom
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