氮化镓器件性能分析及其集成电路设计.docVIP

河 北 工 业 大 学 毕业设计说明书 作 者： 学 号： 学 院： 系(专业)： 电子科学与技术 题 目： GaN器件性能分析及集成电路设计 指导者： 教授 评阅者： 副教授 2012年6月2日 毕业设计（论文）中文摘要 GaN器件性能分析及集成电路设计 摘要： 宽禁带半导体材料GaN 以其独特的半导体特性而受到广泛关注。而在GaN材料构成的器件中，GaN MOSFET器件由于其应用在高温、高频、大功率等方面的优越性，受到越来越多的重视。 利用已知的GaN材料参数进行Matlab仿真并创建GaN MOSFET的PSPICE模型，对其进行输出特性和转移特性等方面的研究，从理论上分析GaN MOSFET的器件性能。主要内容包括：设定的器件外部参数条件，GaN nMOSFET在室温下的阈值电压为0.12V，当VGS为8V时，得到器件的饱和漏电流约为24mA左右；室温下对GaN MOSFET 器件直流特性进行模拟，分析了关键结构技术参数沟道掺杂浓度、栅长对转移特性和输出特性的影响；GaN MOSFET 器件