LED结构和原理.pptVIP

LED工艺简介 1 . LED芯片 2 . LED发光原理 LED发光波长取决于什么因素 LED生产流程图 MOCVD外延 清洗 n区光刻 去胶 P区透明导电层 N电极光刻 N电极蒸发 N退火 P压焊点的制作 钝化层沉积 钝化层光刻 钝化层刻蚀 钝化层去胶 检验 减薄 划片 裂片 划片,裂片工作流程图 测试分检 LED:What’s inside? 总结 参考文献 1、《LED照明设计与应用》作者： (日)LED照明推进协会|译者:李农//杨燕。 2、《Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes》。 3、《半导体器件工艺原理》黄汉尧 等编。 4、《半导体器件原理》 傅兴华 编。 划片前晶片背面 划片后背面 划片后,侧视图 裂片后,侧视图 31 32 电极 LED芯片 透明环氧树脂圆顶 金线 有反射碗 的阴极杆 设计 生长 加工 封装 检测 封装好的LED LED的组成部分 工艺流程: 33 问题： 我们研究LED的突破口和关键点在哪儿？ 34 应用领域 发光效率（lm/w） 发展进程 年份 发展阶段 0.1 GaAsP红光LED 1965 指示灯 0.1 GaAsP红光LED（样品） 1962 指 示 应 用 指示灯、计算器、数字手表 1 GaAsP高效红、黄光、 GaP绿、红光 1970-1980 0.2 GaAsP红、橙、 黄光LED 1968 医疗设备、全彩大屏幕显示屏、小尺寸LCD背光源、手机背光照明、景观装饰照明、闪光灯、应急灯、警示灯、标志灯 15 InGaN绿、蓝光LED，GaN蓝光LED 1993-1994 全彩应用 普通照明 10 白光LED（蓝光芯片+YAG荧光粉） 1997 30 InGaAlPGaAs、 InGaNSiC彩色LED 2000 100 功率级白光LED 2007-2009 50 InGaAlPGaAs、 InGaNSiC彩色LED 2005 室外显示屏、交通信号灯、汽车 10 InGaAlP红、绿、橙红、橙黄、橙、黄色LED 1986-1992 室外信号显示、条形码系统、光电传导系统 5 AlGaAs橙黄、 绿、红光LED 1980-1985 信号 显示 35 我的几点设想： 1.MQW（多重量子阱）掺磁性纳米粒子杂质提高 发光效率。 掺入磁性纳米粒子会怎样？ 36 2.大功率白光LED的发光面积扩大。 37 3.LED显示屏的制造。 三星公司出品的40英寸OLED电视原型机 是否可以小型化？ 38 能否将三基色LED小型化并 将其集成到一块衬底上？ 39 ······· ······· ······· ······· ······· ······· ······· 一是做小→尺寸小 二是做大→功率大 三是做快→散热快 四是做低→成本低 五是独立→集成 40 * * 1 LED LED的芯片结构 LED的发光原理 LED的工艺流程 2 LED的内部是什么？ 3 N型氮化物半导体层 P型氮化物半导体层 发光层 发光层 透明电极 透明电极 P侧电极板 P侧电极板 N侧电极板 N侧电极板 V电极LED芯片 L电极LED芯片 4 LED是如何发光的？ 5 EF VD 形成结 空间电荷区 p型 n型 自由电子 空穴 EF VD-V 形成结 空间电荷区 p型 n型 自由电子 空穴 正向电压 + — 光、热 导带 禁带 价带 VD：扩散电位 未施加外电压的平衡状态 施加p型为正、n型为负的电压后 发光层 6 参考文献：《LED照明设计与应用》作者：(日)LED照明推进协会|译者:李农//杨燕 为什么LED会发不同颜色的光？ 7 发光波长取决于 禁带宽度： λ= 1240/Eg (nm) 可见光的波长范 围：380nm -800 nm，对应的禁带 宽度约3.3~1.6eV 通过形成混晶可 以实现发光波长 的连续变化。 8 参考文献：Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes 混晶的发光波长 9 用不同颜色及数目LED加荧光粉所做成的白光LED的优点及缺点 10 LED 发光管是怎样“练”成的 Sapphire蓝宝石 11 基板（衬底 ） 磊晶制程 磊晶片 清洗 蒸镀 光刻作业 化学刻蚀 熔合 研磨 切割 单晶炉、切片机 磨片机、抛光机 外延炉（MOCVD） 清洗机、烘