新模拟电子技术 教学课件 吴恒玉 第1章　半导体器件.pptVIP

1.2　相关的理论知识 1.2　相关的理论知识 1.2　相关的理论知识 2)当uGS0且uGS较小时，则在uGS的作用下，在栅极下面的二氧化硅中产生一个由栅极指向P衬底的电场，使P衬底中的空穴向下移动到衬底下表面，留下的是不能移动的负电荷，同时少子(自由电子)向上移动到衬底上表面，由于uDS很小，吸引的电子不能形成沟道，所以iD=0。3)若uGS继续增大，当uGS=UGS(th)时，衬底上表面电子增多，形成一个N型薄层，这个薄层称为反型层，形成了一个沟道，只要uDS0，就有电流iD产生，如图1-47b所示。4)导电沟道形成后，在uDS作用下(uDS0)，uGD=uGS-uDS小于栅源电压uGS，uDS增大使iD线性增大，沟道沿源-漏方向逐渐变窄。2.特性曲线(1)转移特性曲线　图1-48a所示为某增强型NMOS场效应晶体管的转移特性曲线。 1.2　相关的理论知识 (2)输出特性曲线　N沟道增强型场效应晶体管的典型输出特性曲线如图1-48b所示。 图1-48　增强型NMOS场效应晶体管的伏安特性曲线 　场效应晶体管的主要参数及使用注意事项 1.2　相关的理论知识 1.场效应晶体管的主要参数(1)性能参数1)开启电压UGS(th)：UGS(th)是在uDS为一常量时，使iD大于零所需的最小uGS值。2)夹断电压uGS(off)：指iD为规定微小电流(如5μA)时的uGS，它是结型场效应晶体管和耗尽型MOS场效应晶体管的参数。3)饱和漏极电流IDSS：对于耗尽型管，在uGS =0情况下产生预夹断时的漏极电流定义为IDSS。4)直流输入电阻RGS(DC)：RGS(DC)等于栅-源电压与栅极电流之比。5)低频跨导gm：gm数值的大小表示uGS对iD控制能力，即(2)极限参数1)最大漏极电流IDM：IDM是管子正常工作时漏极电流的上限值。 1.2　相关的理论知识 2)击穿电压：管子进入恒流区后，使iD骤然增大的uDS称为漏-源击穿电压U(BR)DS，uDS超过此值会使管子烧坏。3)最大栅源电压U(BR)GS：表示栅-源间开始击穿时的电压值。4)最大漏极耗散功率PDM：PDM=uDSiD，耗散功率使管子发热，温度升高，使用时不能超过这个值。2.场效应晶体管使用注意事项1)在使用场效应晶体管时应注意漏源电压、漏源电流、栅源电压、耗散功率等参数不应超过最大允许值。2)场效应晶体管在使用中要特别注意对栅极的保护。3)结型场效应晶体管的栅压不能接反，如使PN结正偏，将造成栅流过大，使管子损坏。 1.2　相关的理论知识 4)可以用万用表测结型场效应晶体管的PN结正、反向电阻，但绝缘栅型场效应晶体管不能用万用表直接去测三个电极。5)场效应晶体管的漏极和源极互换时，其伏安特性没有明显的变化，但有些产品出厂时已经将源极和衬底连在一起，其漏极和源极就不能互换。1)测试前的准备：测量前，必须做好防静电措施。2)判定电极及类型：测试前用表笔将三个电极同时短路，使其栅极的电荷释放。 1.2　相关的理论知识 ① 判定栅极。将万用表拨到R×100档，若某脚与其他脚的正、反向电阻都是无穷大，则证明此脚就是栅极G。若有一次是导通的，则这两个电极为D极及S极，若是N沟道的MOS场效应晶体管，则黑表笔接的是S极，红表笔接的是D极；P沟道的则相反。余下的就是G极了。若测得有两次以上是通的，则表示该管已坏。② 判定管子类型及区分漏极和源极。若不知管子类型，则要判定管子的类型。测出栅极后，用万用表的R×100档两表笔接触D极和S极(并处于非导通的状态)，分别用手碰触G极与其他两极。若碰触黑表笔时管子导通，则该管为N沟道型，且黑表笔连接的为S极；若碰触红表笔时导通，则该管为P沟道型，且红表笔连接的为S极。在测试时表针摆幅越大，表示管子的跨导越大。 1.2　相关的理论知识 思　考　题 1.场效应晶体管有哪几项主要参数？2.使用场效应晶体管时，应注意哪些事项？3.为什么称晶体管为电流控制器件?MOS场效应晶体管为电压控制器件？ 1.3　相关的基本技能 1.3.1　常用电子元器件的识别与检测　电阻器的识别与检测1.电阻器的分类、型号及命名(1)分类　常用的电阻器种类很多，一般分为固定电阻器和可变电阻器两大类。(2)型号及命名　电阻器的型号很多，国产电阻器的型号由四个部分组成。2.电阻器的识别方法(1)固定电阻器的识别方法　固定电阻器阻值有三种标注方法：一是直标法，将阻值用数字加单位直接标在电阻器上，如4.7kΩ等。 1.3　相关的基本技能 表1-1　电阻色环标注的规则 (2)电位器的标识方法　电位器一般采用直标法，将材料性能、额定功率、标称值直接印在电位器的外形上。 1.3　相关的基本技能 表1-2　电位器各部分字母的意义 3