新模拟电子技术基础及应用 教学课件 熊伟林 第1章半导体器件(8学时).pptVIP

* 1.3.1三极管结构类型与特性 3.三极管电流的特性曲线 3）输出特性 晶体三极管的输出特性是指以基极电流iB(或发射结偏压uBE)为参变量时，集电极电流iC和集-射电压uCE之间的关系，输出特性函数为iC＝f(uCE)∣iB=常数 三极管的输出特性曲线 * 1.3.1三极管结构类型与特性 3.三极管电流的特性曲线 三极管输出特性曲线的特点： ①输出特性曲线是一簇曲线，对应于每一个iB值都有一条输出特性曲线。 ②当uCE达到一定值时，曲线比较平坦，即iC不随uCE增大而增大，这就是三极管的恒流特性。 ③当iB增大时，曲线上移，表明对于同一uCE，iC随着iB增大而增大，这就是三极管的电流放大作用。 * 1.3.2 三极管的主要参数 1.电流放大系数 晶体三极管的电流放大系数是表征晶体三极管放大能力的重要参数，有直流放大系数和交流放大系数两种。 1)共发射极电流放大系数 和 ：两者的定义不同， 前者反映晶体三极管直流工作状态下的电流放大能力；而后者反映交流工作状态下的电流放大能力 2)共基极电流放大系数 和 共基极直流电流放大系数 共基极交流电流放大系数 * 1.3.2 三极管的主要参数 2.极间反向电流 1)反向饱和电流ICBO　当发射极开路时，集电极C和基极B之间的电流称为反向饱和电流，用ICBO表示。 ICBO越小，管子质量越好，由于ICBO随温度的升高而迅速增大。在稳定性要求较高的电路中或环境温度变化较大的时候，应选用硅管 2)穿透电流ICEO　当基极开路时，集电极C到发射极E之间的电流称为穿透电流，用ICEO表示。 * 1.3.2 三极管的主要参数 3.极限参数 1)集电极最大允许电流ICM：晶体三极管在正常放大区工作时β值基本不变。但是，当集电极电流IC增大到一定程度时，β值会下降，ICM是指β出现明显下降时的IC值。 2)集电极最大允许功耗PCM：晶体三极管都规定了集电极最大允许功耗PCM 3)反向击穿电压U(BR)CEO、U(BR)CBO、U(BR)EBO * 1.3.3 三极管的三种工作状态 1.放大区 输出特性曲线比较平直的部分区域叫做放大区，在此区域集电极电流iC受到基极电流iB的控制，且iC＝βiB，与uCE基本无关。 三极管的三个工作区域 三极管工作在放大区的条件为发射结正偏，集电结反偏。 * 1.3.3 三极管的三种工作状态 2.截止区 截止区是iB＝0时的iC～uCE曲线和横轴(uCE轴)所包围的区域。 三极管工作在截止区的条件为发射结反偏，集电结反偏。 3.饱和区 临界饱和线左边的阴影部分叫做饱和区。 三极管工作在截止区的条件为发射结正偏，集电结正偏。 * 例1-2 判断图中个三极管的工作状态（截止、饱和和放大） 解：a) 由图知该三极管为NPN型，且UB＞UC＞UE，所以该管工作在饱和状态。 b）工作在放大状态。 c）工作在放大状态。 D）工作在截止状态。 * 1.4 场效应管基本特性 1.4.1 场效应管的分类与结构特性 1. 场效应管的分类 * 1.4.1 场效应管的分类与结构特性 2.结场效应管 1）结构与符号:在一块N型半导体材料两边分别扩散一个高浓度的P型区（用P+表示），形成两个PN结（耗尽层） 结型场效应管的结构示意图及其电路符号 * 1.4.1 场效应管的分类与结构特性 2）N沟道JFET的输出特性曲线 场效应管的输出特性是指在栅源电压uGS一定的情况下，漏极电流iD与漏源电压uDS之间的关系： 2.结场效应管 * 1.4.1 场效应管的分类与结构特性 2.结场效应管 Ⅰ区为可变电阻区，场效应管可看作一个受栅源电压uGS控制的可变电阻。 Ⅱ区为饱和区或恒流区，场效应管用作放大器时。 Ⅲ区为击穿区，场效应管不允许工作在这个区域。 Ⅳ区为截止区 N沟道结型场效应管输出特性曲线 * 1.4.1 场效应管的分类与结构特性 2.结场效应管 3）N沟道JFET的转移特性曲线：在一定漏源电压uDS下，栅源电压uGS对漏源电流iD的控制特性。 N沟道结型场效应管转移特性曲线 * 1.4.1 场效应管的分类与结构特性 3.绝缘栅型场效应管 1）结构与符号 N沟道绝缘栅场效应管结构及符号 * 1.4.1 场效应管的分类与结构特性 3.绝缘栅型场效应管 2）输出特性曲线 增强型NMOS管输出特性曲线 Ⅰ区称为可变电阻区， Ⅱ区称为恒流区或放大区。 Ⅲ区称为击穿区 Ⅳ区称为截止区 * 1.4.1 场效应管的分类与结构特性 4.场效应晶体管与晶体管的性能比较 器件名称性能 半导体三极管 场效应管 导电结构 既利用多数载流子，又利用少数载流子，故称为双极型器件 只利用多数载流子工作，称为单极型器件 导电方式 多子浓度扩散与少子漂移 多子漂移 控制方式 电流