新模拟电子电路原理与设计基础 教学课件 刘祖刚 1 常用半导体器件.pptVIP

模拟电子技术基础 主讲教师： 钟志峰 Tel Email: zfzhong@ 教材与参考书 教材： 刘祖刚， 模拟电子电路原理与设计基础 机械工业出版社 参考书： 童诗白，华成英，模拟电子技术基础 康华光，陈大钦，电子技术基础 引论： 引论：模电课程的重要性 半导体器件 半导体材料 本征半导体 杂质半导体 N型半导体 P型半导体 杂质对半导体导电性的影响 本节中的相关概念 PN结的形成 一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。 PN结的形成 在结合面上： PN结的形成 PN结的单向导电性 二极管的常见结构及伏安特性 二极管图片1 二极管的伏安特性 二极管主要参数 非线性元件的认识 非线性元件的认识 二极管等效电路 （2）应用图解分析方法 （3）应用简化模型方法 （4）小信号模型 应用举例 本节中的有关概念 稳压二极管 三极管的结构 BJT放大原理 电流分配关系 三种组态 共基放大 共射放大 总结 三极管特性曲线（输入） 绝缘栅型场效应管(MOS管) 思考与习题 各种放大器件电路性能比较 思考与习题 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 结型场效应管 Exit 小结 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 2.转移特性 VP 1.输出特性 4. 特性曲线 Exit ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 5. 主要参数 Exit 1. N沟道增强型MOS管的结构 P型衬底 沟道区域 绝缘层 金属铝 增强型MOS管的符号 Exit (a) VGS= VDS ＝0 ⑴ 导电沟道形成 (b) VGS(th) VGS0, VDS ＝0 当VGS为零或较小的正值时，源区和漏区之间均被空间电荷区隔断。 2. N沟道增强型MOS管的工作原理 原始状态 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit (c) VGS VGS(th),VDS ＝0 (d) VGS VGS(th), VDS 0 形成导电沟道 N型导电沟道 形成自漏区到源区的漏极电流。D端加有电压，导电沟道不均匀。 绝缘栅型场效应管(MOS管) ⑴ 导电沟道形成 2. N沟道增强型MOS管的工作原理 Exit (f) VGS VGS(th) , VDS = VGS -VGS(th) 则 VGD=VGS-VDS VGS(th) (e) VGS VGS(th) , VGS -VGS(th) VDS 0 ? 此时VDS ? VGD↓ 漏端沟道变窄 ? ID基本不变 VGA=VGS(th) VGD = VGS-VDS =VGS（th） (2) VDS对沟道的控制作用 VDS? ? ID ? 即 绝缘栅型场效应管(MOS管) 图 图 预夹断 2. N沟道增强型MOS管的工作原理 Exit 增强型MOS管的基本工作原理：在栅极电压作用下，漏区和源区之间形成导电沟道。在漏极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产生自漏极流向源极的电流。改变栅极电压，控制导电沟道的导电能力，使漏极电流发生变化。 与JFET相比，两者结构不同，产生沟道的方式不同。但都是利用沟道导电，且外特性都表现为栅源电压控制漏极电流。 综上分析可知 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit 输出特性 转移特性 3. N沟道增强型MOS管的特性曲线 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit P沟道增强型MOSFET 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit 1.耗尽型制造工艺 N沟道耗尽型MOSFET简介 在氧化层中引入一些金属正离子，或者在半导体表面进行专门的掺杂，可在P型半导体表面形成原始的反型层导电沟道。 绝缘栅型场效应管(MOS管) Exit 2. 导电机理与伏安特性 当加电压VDS后，即使VGS＝0，也存在电流ID。 只有当VGS加反向电压至一定大小，ID=0时，VGS0。伏安特性的变化形式及性质与增强型一样。 N沟道耗尽型MOSFET简介 绝缘