新模拟电路 教学课件 张丽华第1章 ch01 5.pptVIP

1.5 场效应晶体管 1.5.1 绝缘栅场效应管　　 1.5.2 结型场效应管　　 1.5.3 场效应管的主要参数　　 1.5.4 场效应管与晶体管的比较 1.5 场效应晶体管 场效应晶体管（Field Effect Transistor），缩写为FET，简称场效应管。是一种用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件，属于电压控制电流源器件，用VCCS表示。它工作时只有一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。 其主要特点是输入电阻高（达107～1015Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、受温度和辐射影响小，故特别适用于高灵敏、低噪声电路，如各种仪器或电子产品的前置放大电路。 我们把vGS=0时iD随vDS的变化规律用曲线表示如图1-49所示。 综上分析可知： （1）沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。 （2）JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG=0，输入电阻很高。 （3）JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 （4）预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和，基本不随vDS变化。 （3）特性曲线与电流方程 图1-55（a）和（b）分别为N沟道增强型MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线。与结型场效应管一样，输出特性曲线也分为四个区域，即可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区。 1.5.3 场效应三极管的参数和型号 1．场效应三极管的参数 2．场效应三极管的型号命名 1.5.4 双极型晶体管和场效应晶体管的比较 场效应三极管的型号，现行有两种命名方法。 其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如，3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如，CS14A、CS45G等。 第1章 常用半导体器件 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应管的分类： 1.5.1 结型场效应管 1.结构 N沟道 JFET 管外部工作条件 uDS 0 (保证栅漏 PN 结反偏) uGS 0 (保证栅源 PN 结反偏) 2　工作原理 P + P + N g s d + UGS UDS + - uGS 对沟道宽度的影响 | uGS | ? 阻挡层宽度? 若 | uGS | 继续? 沟道全夹断 使 uGS = uGS (off) 夹断电压 若 uDS = 0 N g s d + uGS P + P + N 型沟道宽度? 沟道电阻 Ron? uDS 很小时 → uGD ? uGS 由图 uGD = uGS - uDS 因此 uDS?→ID 线性 ? 若 uDS ?→则 uGD ?→ 近漏端沟道? → Ron 增大。 此时 Ron ?→ID ? 变慢 uDS 对沟道的控制(假设 uGS 一定) N g s d + uGS P + P + uDS + - 此时 W 近似不变 即 Ron 不变 当 VDS 增加到使 VGD ? = VGS(off) 时 → A 点出现预夹断 若 VDS 继续?→A 点下移 → 出现夹断区 此时 VAS = VAG + VGS = -VGS(off) + VGS (恒定) 若忽略沟道长度调制效应，则近似认为 l 不变(即 Ron不变)。 因此预夹断后： VDS ? →ID 基本维持不变。 N G S D + VGS P + P + VDS + - A N G S D + VGS P + P + VDS + - A 图1-49 vGS =0时iD随vDS的变化规律 (1)输出特性曲线 1）可变电阻区 特点： ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。 条件： VGS VGS(off) V DS VGS – VGS(off) 3. 特性曲线 线性电阻