新数字电子技术基础 教学课件 王友仁 等 第9章 可编程逻辑器件20101201.pptVIP

第九章 可编程逻辑器件 9.1 概述 9.2 PLA与PAL 9.3 通用阵列逻辑 9.4 复杂可编程逻辑器件CPLD 9.5 现场可编程门阵列FPGA 9.6 可编程逻辑器件的开发应用 9.1 概述 可编程逻辑器件的发展过程 可编程逻辑器件的分类 可编程逻辑器件的发展过程 最早的可编程逻辑器件 可编程只读存贮器PROM 紫外线可按除只读存贮器EPROM 电可擦除只读存贮器EEPROM 特点： 只能实现简单的逻辑功能 集成度不高，资源利用率低 可编程逻辑器件的发展过程 通常意义上的可编程逻辑器件(PLD) PLA(可编程逻辑阵列) PAL(可编程阵列逻辑) GAL(通用阵列逻辑) 特点： 电路结构较为复杂 实现逻辑功能的基本电路：与或阵列 无法满足大规模数字系统设计的要求，只能替代固定功能的逻辑芯片 可编程逻辑器件的发展过程 为了弥补PLD缺陷，出现了 CPLD(Complex Programmable Logic Dvice) FPGA (Field Programmable Gate Array)。 特点： 体系结构和逻辑单元灵活 集成度高以及适用范围宽。 兼容了PLD和通用门阵列的优点，可实现较大规模的电路，编程也很灵活。 可编程逻辑器件的发展过程 PAL/GAL等： 低密度、早期的PLD，在低端数字电路领域仍有大量的应用 主要是替代74系列逻辑器件 GAL器件的供应商主要是Lattice Semiconductor CPLD： 能实现的逻辑功能比PAL /GAL有大幅度提高 主要用于实现中等复杂程度、较高速度的逻辑功能 主要供应商：Altera、Lattice、Xilinx FPGA 高达千万门的集成度 应用与高速、高密度的高端数字系统设计领域 主要供应商： Altera、Lattice、Xilinx、Atmel、Actel 按照集成度分类 从集成度上分为 低密度可编程逻辑器件(LDPLD) 高密度可编程逻辑器件(HDPLD) PROM、PLA、PAL和GAL属于低密度可编程逻辑器件。 CPLD和FPGA属于高密度可编程逻辑器件。 按照集成度分类 按照结构分类 可编程逻辑器件都是从“与-或阵列”和“门阵列”两类基本结构发展起来的，所以又可从结构上将其分为两大类器件 ： PLD器件——基本结构为与或阵列的器件。PLD主要通过修改具有固定内部电路的逻辑功能来编程。 FPGA器件——基本结构为门阵列的器件。FPGA主要通过改变内部连线的布线来编程。 按编程工艺 熔丝编程器件：由可以用电流熔断的熔丝组成。 PROM等 反熔丝编程器件——主要通过击穿介质达到连通线路的目的。 Actel的FPGA器件 按编程工艺 SRAM——大多数公司的FPGA器件 可反复编程，实现系统功能的动态重构 每次上电需重新下载，实际应用时需外挂EEPROM用于保存程序 EEPROM——大多数CPLD器件 可反复编程 不用每次上电重新下载，但相对速度慢，功耗较大 9.2 PLA与PAL 可编程逻辑器件的基本结构 基本结构 PLD电路的符号表示 PLD器件的编程元件 可编程逻辑阵列PLA 可编程阵列逻辑PAL 可编程逻辑器件的基本结构 PLD器件由输入缓冲电路、与阵列、或阵列、输出缓冲电路等四部分组成 可编程逻辑器件的基本结构 任何组合逻辑函数均可化为与或式，用“与门-或门”二级电路实现，而任何时序电路又都是由组合电路加上存储元件(触发器)构成。 例如 由“与或阵列”直接输出就构成组合方式输出 “与或阵列”送入寄存器后输出构成时序方式输出。 组成部分的符号表示 组成部分的符号表示 与或阵列 可编程元件 可编程元件有如下四种类型 熔丝(Fuse)开关 反熔丝(Antifuse)开关 浮栅编程元件(EPROM和EEPROM) 基于SRAM的编程元件。 可编程元件----熔丝(Fuse)开关 熔丝(Fuse)开关 由可以用电流熔断的熔断丝组成 在编程时，需要保持连接的节点保留熔丝，需要去除连接的节点烧掉熔丝 熔丝开关烧断后不能够恢复，只能够编程一次 保证熔丝熔化时产生的金属物质不影响器件的其他部分，熔丝还需要留出极大的保护空间，因此熔丝占用的芯片面积大 熔丝(Fuse)开关 可编程元件----反熔丝开关 反熔丝(Antifuse)型开关 通过击穿介质来达到连通线路 在未编程时处于开路状态，编程时，在其两端加上编程电压，反熔丝就会由高阻抗变为低阻抗，从而实现两个极间的连通，且编程电压撤除后也一直处于导通状态 反熔丝元件占用的硅片面积小，适宜做集成度很高的可编程逻辑器件的编程元件 浮栅编程元件 EPROM的基本结构是一个浮栅管，浮栅管相当于一个电子开关，当编程电压脉冲对浮栅注入电子时，浮栅管截止(‘0’状态)；当浮栅中的电子泄放后，浮栅管回复导通(