新数字电子技术项目教程 教学课件 朱祥贤 主编 项目八.pptVIP

数字电子技术 项目八- 用FPGA 实现计数器 项目要求： 以MAX+plus II为开发环境，利用FPGA典型芯片实现计数器等各种数字电路或系统。 项目目标： 了解RAM、ROM的功能和结构； 掌握PAL、GAL等的结构和使用； 了解FPGA、CPLD结构； 掌握用MAX+plus II设计数字电路的方法。 项目简介： 可编程逻辑器件（programmable logic device，PLD）是20世纪80年代发展起来的有划时代意义的新型逻辑器件，PLD是一种由用户编程以完成某种逻辑功能的器件。不同种类的PLD大多具有与、或两级结构，且具有现场可编程的特点。作为一种理想的设计工具，可编程逻辑器件给数字系统的设计者带来了很多方便。使用这类器件，可及时方便地研制出各种所需要的逻辑电路，它简化了系统设计，保证了系统的高性能、高可靠性、有效地降低了系统的成本。 随着系统复杂性越来越高，大规模可编程逻辑器件获得空前发展。复杂可编程逻辑器件（complex programmable logic device，CPLD）和现场可编程的门阵列(field programmable gate array，FPGA)就是这一类理想器件。 专题1 存储器 专题目标： 了解ROM的一般结构； 了解ROM的分类及各自工作原理； 了解RAM的一般结构； 了解RAM的分类及各自工作原理。 8.1.1只读存储器ROM 只读存储器ROM属于数据非易失性器件，在外加电源消失后，数据不会丢失，能长期保存。按照其数据写入方式的不同，将它分成掩模式ROM、可编程ROM(PROM)和可擦除可编程ROM(EPROM)。 地址译码器的作用是将输入的地址代码转换成相应的控制信号，利用这一控制信号从存储矩阵中将指定的单元寻找出，并将该单元中的存储数据送入输出缓冲器。输出缓冲器提高存储器的带负载能力，将输出电平调整为标准的逻辑电平值，实现对输出状态的三态控制，以便于ROM与数字系统的数据总线联接。 1、掩模式只读存储器(固定ROM) 用户按照使用要求确定存储器 的存储内容，存储器制造商根据 用户的要求设计掩模板，利用掩 模板生产出相应的ROM。它在使 用时内容不能更改，只能读出其 中的数据。 2、可编程只读存储器(PROM) PROM是一种仅可进行一次编程的只读存储器，用户通过对其内部存储单元编程一次，可获得所需存储内容的ROM。 熔丝型PROM存储单元的原理电路图 3、可擦除可编程只读存储器(EPROM) 与PROM不同，可擦除可编程ROM(EPROM)中的存储数据是可以擦除、可以重写的。根据EPROM数据擦除、写入方式的不同，又分为紫外线可擦除可编程ROM(UVEPROM)、电可擦除可编程ROM(E2PROM)和快闪式存储器(Flash Memory)等3种。 在写入状态下，将需要写入1的存储单元中叠栅MOS管的漏极，经位线接至一较高的正电压(一般为+6V)，VSS接低电平，同时在控制栅上加一个幅度+12V左右、脉宽约为10μs的正脉冲，这时叠栅MOS管漏一源极之间将发生雪崩击穿，一部分速度快的电子便穿过氧化层到达浮栅，形成浮栅充电电荷。浮栅充电后，漏极正电压消失，这时叠栅MOS管的开启电压为7V以上，当字线上加上正常的高电平(+5V)时，叠栅MOS管不会导通，即该单元写入数据1。闪存的擦除操作利用隧道效应进行，由于闪存芯片内所有的叠栅MOS管的源极是连在一起的，所以在进行擦除操作时，片内的全部存储单元同时被擦除，速度较快。 8.1.2随机存储器 RAM又名随机读/写存储器，它在工作时，在控制信号的作用下，随时从任何指定地址对应的存储单元中读出数据或向该单元写入数据，它的最大优点是读写方便、快速，最明显的缺点是数据易失，即一旦掉电，存储器RAM中的信息就会丢失。 SRAM和DRAM这两类RAM的整体结构基本相同，它们之间的不同点在于存储单元的结构和工作原理有所不同。SRAM以静态触发器作为存储单元，依靠触发器的自保持功能存储数据，而DRAM以MOS管栅极电容的电荷存储效应来存储数据。 1、RAM的结构 1）存储矩阵 一个RAM中有许多个结构相同的存储单元，因这些存储单元排列成矩阵形式，故称作存储矩阵。每个存储单元存储一位二进制信息(0或1)，在地址译码器和读/写控制电路的作用下，将某存储单元中的数据读出或为该单元写入数据。 通常存储器中数据的读出或写入是以字为单位进行的，每次操作读出或写入一个字，1个字含有若干个存储单元(若干位数据)，每位数据被称为该字的一个位，1个字中所含的位数称为字长。在工程实际中，常以字数乘以字长表示存储器的容量，存储器的容量越大，意味着存储的数据越多。为了区别不同的字，将同一个字的各位数据编成一组，并赋予一个序号，称之为