新数字电子技术 教学课件 包晓敏 第7章 大规模数字集成电路（7.1～7.4）.pptVIP

数字电子技术 7.4.4 其它类型的存储器 E2PROM ： E2PROM的存储单元通常采用浮栅隧道氧化层MOS管（Floating gate Tunnel Oxide，FLOTOX管）来制作，FLOTOX管的剖面示意图如图7-15所示。 图7-15 FLOTOX管的剖面示意图 7.4.4 其它类型的存储器 闪烁存储器： 闪烁存储器是一种采用了类似于UVEPROM的单管叠栅结构的存储单元制成的新一代电擦除可编程ROM。 图7-16 Flash Memory叠栅MOS管的结构示意图 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 书号：978-7-111-36240-1 机械工业出版社 本书课件及答案下载网页链接为： /book/book!webDetails.do?book_id=2011536 第7章 大规模数字集成电路 7.1 存储器概述7.2 存储器的分类和性能指标7.3 随机存取存储器 7.4 只读存储器 7.1 存储器概述 半导体存储器是用半导体器件来存储二值信息的大规模集成电路，它可以用于存储大量的数据、程序和各类资料，是数字电子系统中必不可少的组成部分。 具有集成度高、功耗小、可靠性高、体积小、价格低、便于自动化批量生产等优点。 目前在数字通信、数据采集与处理、工业自动控制以及人工智能等领域都得到了广泛应用。 7.2 存储器的分类和性能指标 7.2.1 存储器的分类7.2.2 存储器的性能指标 7.2.1 存储器的分类 按制造工艺分类： 双极型存储器：以双极型触发器为基本存储单元，工作速度快，但功耗大、集成度低、成本较高，主要用于对速度要求较高而存储容量不大的场合，如在计算机系统中用做高速缓冲存储器。 MOS型存储器：以MOS触发器或电荷存储结构为基本存储单元，功耗低、集成度高、成本低，但访问速度比双极型存储器慢，主要用于对存储容量要求较高的场合，如在计算机系统中用做主存储器。 7.2.1 存储器分类 按存取方式分类： 只读存储器(ROM)：在正常工作时只能读出制造厂商事先存入的数据，而不能随时修改或重新写入数据，断电后数据不会丢失。常用的ROM有掩膜ROM、PROM、EPROM和Flash Memory等多种类型。 随机存取存储器(RAM)：在工作中可以随时从任何指定地址读出数据，也可以随时把数据写入任何指定的存储单元。最大优点是读写方便，使用灵活。但是RAM中存储的数据不能长期保留，断电后数据立即消失。 7.2.1 存储器分类 RAM又可分为静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）两种 ： SRAM：其存储单元为触发器，数据一旦被写入就能够稳定地保持下去，工作时不需要刷新，但存储容量较小。 DRAM：其存储单元为电容，利用对电容器的充放电来存储信息。为了保证DRAM内部信息的正确性，电容内部的电荷量需要维持在一定的水平。因此，在工作时需要周期性地进行信息刷新。DRAM电路简单，功耗低，集成度高，常用于大容量存储器。 7.2.2 存储器的性能指标 半导体存储器的主要性能指标是存储容量和存取时间。 存储容量：是指存储器可以存储的二值信息量。存储器中的一个基本存储单元能存储1bit（位）的信息，存储器中的一个字是一个多位二进制数，其位数被称为字长。 存取时间：是指完成一次读或者写操作所需要的时间，即从存储器收到一个新的地址输入开始，到它读出或者写入数据为止所需要的时间。连续两次读（或写）操作的最短时间间隔称为读（或写）周期。读（或写）周期越短，存储器的工作速度就越快。 7.3 随机存取存储器 7.3.1 RAM的结构7.3.2 SRAM存储器原理 7.3.3 DRAM存储器原理 7.3.4 SRAM扩展方法 7.3.1 RAM的结构 RAM通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成。 图7-1 RAM的结构示意图 7.3.1 RAM的结构 存储矩阵：是存储单元的集合体。 存储矩阵中的每个存储单元只能存储1位二进制数，由若干个存储单元可构成一个字存储单元（简称字单元），每个字单元中所包含的存储单元个数称为字长。整个存储矩阵中所包含的字单元个数称为字数，存储矩阵的存储容量就等于字数和字长的乘积。 例如，有一个RAM的存储容量为128M×8，表示该RAM的存储矩阵中有128M个字单元，每个字单元的字长为8，存储单元的总数为128M×8个。 7.3.1 RAM的结构 地址译码器：是实现地址选择的译码电路。 RAM为存储矩阵中的每个字单元赋予了一个由多位二进制数构成的地址编号，称为地址码。RAM进行每次读/写都是针对一个字单元的数据。