新数字电子技术 教学课件 高建新 第6章 半导体存储器和可编程逻辑器件.pptVIP

6.3 存储器容量的扩展 6.3.1 位扩展 用8片1024（1KB）×1bit RAM构成的1024B×8bit RAM系统如图6-15所示。 图6-15 1KB×1bitRAM扩展成1KB×8bitRAM 6.3.2 字扩展 图6-16四片1024×8 ROM扩展为4096×8ROM 在存储器的位数满足要求而字数达不到要求时，需要字扩展。图6-16所示是由四片1024×8 ROM扩展为4096×8 ROM的实例。 6.4 可编程逻辑器件 PLD是指用户自行定义功能（编程）的一类通用型逻辑器件的总称。它可以把一个数字系统集成到一片PLD上，而不必由芯片制造商去设计和制作专用集成芯片。PLD兼顾了通用型器件批量大、成本低和专用型器件构成系统体积小、可靠性高的特点，在科技开发中得到广泛的应用。 6.4.1 PLD的基本结构 图6-18 PLD的基本结构 PLD的基本结构如图6-18所示。电路的主体是由门构成的“与门”阵列和“或门”阵列 。 * * 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 第6章 半导体存储器和可编程逻辑器件 　　本章内容： 　　随机存取存储器RAM和只读存储器ROM的结构、工作原理及存储器容量扩展的方法； 可编程逻辑器件PLD结构与特点。 引 言 存储器是数字系统和计算机中重要的组成部分，其功能是存放数据、指令等信息。 存储器的分类： 存储器的性能指标主要有存储容量和存取时间。 存储容量指在一个存储器中可以容纳的存储单元总数，表示的是存储空间的大小，单位为字和字节。 存储器的容量=字数n×字长（位数）m。 存储器的字节数通常的计量单位为KB、MB或GB，其中1KB=210B=1024B，1MB=220B=1024KB，1GB=230B=1024MB。 存取时间指访问一次存储器所需要的时间。 6.1 随机存取存储器 随机存取存储器简称RAM （Random Access Memory），也叫做读/写存储器。它可以在任意时刻，对任意选中的存储单元进行信息的存入或读出。 根据制造工艺的不同，RAM可分为双极型RAM和MOS型RAM两种类型。 双极型RAM，工作速度高，但成本高，功耗大，集成度低，主要用作高速小容量存储器。 MOS型RAM，功耗小，集成度高，成本低，但速度比双极型RAM低。它适于构造大容量存储器。MOS型RAM又可进一步分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两种。 RAM的优点：是读写方便，使用灵活。 缺点：一旦断电，所存储的信息便会丢失。 6.1.1. RAM的基本结构 图6-2 RAM结构示意图 存储器的结构如图6-2所示，由地址译码器、存储矩阵、输出通路及输入输出控制电路等部分组成。 1. 存储矩阵 存储矩阵是存储器的主体，由若干个存储单元组成。每个存储单元可存放1位二进制信息。为了存取方便，通常将这些存储单元设计成矩阵形式，称为存储矩阵。 例如：1个容量为256×4（256个字，每个字4位）的存储器，共有1024个存储单元，这些单元可排成图6-3所示的32行×32列的矩阵。 图 6-3 RAM存储矩阵 2. 地址译码器 为了区别不同的字，将存放同一个字的存储单元编为1组，并赋予1个号码，称为地址。不同的字单元具有不同的地址，从而在进行读写操作时，可以按地址选择要访问的存储单元。 存储器中的地址译码器通常采用双译码结构。即将输入地址分为行地址和列地址两部分，分别由行、列地址译码电路译码。 地址单元的个数N与二进制地址码的位数n满足关系式N=2n。 3. 读/写与片选控制 数字系统中的RAM一般由多片组成，而系统每次读写时，只选中其中的一片（或几片）进行读写，因此在每片RAM上均加有片选信号线。只有该信号有效时，RAM才被选中，可以对其进行读写操作，否则该芯片不工作。某芯片被选中后，该芯片执行读还是写操作由读写信号控制。 图6-4所示的是RAM的片选与读写控制电路。 图 6-4 片选与读写控制电路 6.1.2 RAM的存储单元 存储单元是存储器的核心部分，由于RAM分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两类，相应的RAM也被分为静态RAM（SRAM）和动态存RAM（DRAM）两类。 1. 静态存储单元 根据使用的器件不同，静态存储单元可分为MOS型和双极型两种。 图6-5是六管CMOS静态存