新数字电子技术 教学课件 胡祥青 何晖 第2章课件.pptVIP

第2章 集成逻辑门电路  学习目标 2.1 半导体管的开关特性 2.1.1 二极管的开关特性 （2）二极管截止时的特点及截止条件 当外加电压较小或者承受反向偏置时，二极管 截止。由图2-2所示的二极管伏—安特性曲线 可见，当时二极管截止，只有很小的反向漏电 流流过二极管。硅管的反向漏电流?＜1uA， 锗管的＜20uA，在数字电路的分析计算中， 常将视为硅二极管的截止条件。实际电路中， 外加压常使 ≤0，以保证二极管可靠截止。 2.1.2 晶体管的开关特性 2.2 TTL集成门电路 2.2.2?肖特基TTL与非门 要提高TTL门电路的工作速度，必须对电路 加以改进。显然，影响门电路开关速度的一 个重要因素是晶体管饱和与截止相互转换的时间。 为减小这一时间，可采取以下措施： ①减轻晶体管的饱和深度， 甚至使输出级晶体管不饱和。 ②设法使晶体管基区的存储电荷尽快消散。 图2-9 抗饱和晶体管, 在晶体管的b-c结上并联一个肖特基二极管即可以构成一个抗饱和晶体管。图2-9为其电路。b-c结上并了肖特基二极管，b-c结在反偏时，肖特基二极管不起作用。当晶体管饱和时，b-c结正偏电压被肖特基二极管的正向导通电压嵌位，从而限制了晶体管的饱和深度。同时肖特基二极管对晶体管的过驱动电流也有分流的作用，减小了集电区过量的存储电荷，又有利于提高开关速度。 抗饱和TTL与非门，如图2-10a所示。它与典型TTL与非门相比有两点改进。第一，用带肖特基势垒二极管（SBD）的晶体管来代替典型TTL与非门中所有可能在饱和状态下工作的晶体管；第二，增加了一个由晶体管和电阻构成的有源泄放电路。 2.5 集成逻辑门的分类和使用方法 2.5.1 集成逻辑门的分类和特性 数字集成电路有多种分类方法，常用的按结构工艺分类，数字集成电路可以分为厚膜集成电路、薄膜集成电路、混合集成电路、半导体集成电路四大类。 世界上生产最多、使用最多的为半导体集成电路。半导体数字集成电路（以下简称数字集成电路）主要分为TTL、CMOS、ECL三大类。 图2-21 CMOS反相器 2.工作原理 设 输入低电平，输出高电平。 输入高电平，输出低电平。 实现反相器功能，工作管和负载管总是工作在互补的开关工作状态，即工作状态互补。 TP S D TN G S A（） L（） UDD 3.COMS反相器的特性 （1）电压传输特性 图2-22 CMOS反相器电压传输特性 图2-23 CMOS反相器电流传输特性 /V UI/V UOL≈0V UOH≈UDD UTN UDD-∣UTP∣ Uth O A B C D E F UI/V ID/mA UTN UDD-∣UTP∣ Uth O (2)动态特性 1）传输延迟时间。 0 20 40 60 80 100 20 40 60 80 100 tPHL /ns tPLH CL/pF VDD=5V 10V 15V 图2-24 CL和UDD对传输延迟时间的影响 2）交流噪声容限。 在TTL电路中介绍了门电路的抗干扰能力，这是一种静态参数。同样CMOS电路也有抗干扰能力，或称为输入端噪声容限。由于CMOS电路的输出高电平高，接近 ，输出低电平低，接近0V，所以CMOS门电路的抗干扰能力远大于TTL电路。 4.CMOS反相器的输入保护电路 金属氧化物绝缘栅型场效应（MOS）管因其栅极极高的输入阻抗，会因电磁感应产生过高的感应电压而使CMOS器件损坏。一般，CMOS器件的输入端都有保护电路，具有输入保护电路的CMOS反相器如图2-27所示。 图2-27 CMOS反相器的输入保护电路 TP TN UO UDD D1 C1 C2 D2 （1）TTL类型 这类集成电路是以双极型晶体管（即通常所说的晶体管）为开关元件，输入级采用多发射极晶体管形式，开关放大电路也都是由晶体管构成，所以称为晶体管—晶体管—逻辑，即Transistor-Transistor-Logic，缩写为TTL。TTL电路在速度和功耗方面，都处于现代数字集成电路的中等水平。它的品种丰富、互换性强，一般均以74（民用）或54（军用）为型号前缀。 同济大学汽车营销管理学院 * 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 理解晶体管的开关特性 了解集成逻辑门的分类和特性 理解效应管开关特性 掌握集成逻辑门的分类和使用方法 所有数字集成电路都是由二极管、晶体管和场效应管组成的。在脉冲与数字电路中，它们通常是作为开关使用