新数字电子技术 教学课件 王秀敏主编3 3.4_场效应管.pptVIP

场效应晶体管（Field Effect Transistor，简写为FET）是只有一种载流子（电子或者空穴）参与导电的半导体器件，因此也被称为单极型晶体管，它是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。具有噪声小、功耗低、输入电阻高（108～109Ω）、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。 场效应管种类很多，根据场效应三极管的结构和工作原理，可以分为结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transistor) 。 JFET因有两个PN结而得名，而 IGFET因栅极与其它电极完全绝缘而得名。 目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semicon-ductor FET）。 根据参与导电的载流子不同，可以分为N沟道器件（电子作为导电载流子）和P沟道器件（空穴作为导电载流子）。 3.4.1 结型场效应管 结型场效应三极管可以分为N沟道和P沟道两种。 其电路符号如图3.4.1（a）所示，以N沟道为例，其结构示意图如图3.4.1（b），它是在一块掺杂较低N型半导体材料的两侧扩散形成两个高掺杂的P区，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。 将两个P区连接在一起，引出的电极即为栅极，N型半导体的一端是漏极，另一端是源极，N型半导体也是源极和漏极之间的导电沟道。 将N沟道结型场效应管中N区和P区互换位置，便形成了P沟道器件，P型区为导电沟道，两个高掺杂的N型区相连形成栅极。 1．结型场效应三极管的工作原理 下面以N沟道结型场效应管为例，讨论结型场效应管的工作原理。因为结型场效应三极管没有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，即N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。 （1）栅极电压对沟道的控制作用 当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时（源极接地，VDS0，为一个小的正电压），如图3.4.2（a）所示，N沟道中的多子（电子）在外电场的作用下，从源极漂移到漏极，产生漏极电流ID，因为漏极上是一个小的正电压，所以ID和VDS的曲线接近于线性变化，如图3.4.2（b）所示。当VGS＜0时，栅极和沟道PN结反偏，其空间电荷区增宽，形成耗尽层，沟道宽度变窄，沟道电阻增大， 漏极电流ID将减小。增大栅源之间的电压，即VGS继续减小，沟道继续变窄，反偏达到一定程度时，空间电荷区将沟道完全填满，ID减小为0，这种情况称为沟道夹断，如图3.4.2（b）所示。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off)。 由此可见，对电流的控制，一部分是晶体管自身的行为，另外一部分是通过栅电压控制的，因此称这种器件为耗尽型器件或者常开型，即必须施加一定栅极电压才能使器件关断。 （2）漏源电压对沟道的控制作用 ????? 在栅极加有一定的负电压VGS，且VGS＞VGS(off)，如果漏源电压VDS从零开始增大，则VGD=VGS-VDS将随之减小，即向负向增大，这样使靠近漏极处的耗尽层加宽，相应的沟道变窄，从左至右呈楔形分布，如图(a)所示。 当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VGS(off)时，在紧靠漏极的地方，两个PN结的耗尽层开始相遇，沟道出现预夹断，如图(b)所示。 当VDS继续增大，漏极处的夹断将会向源极方向延长。 在出现预夹断之后，ID随着VDS的增大而趋于稳定，或者略有上升，仅取决于VGS的大小，VGS越负，ID越小，直到VGS＝V GS(off)时，沟道将全部被夹断（此时）。 结型场效应三极管的特性曲线包括输出特性曲线（ID和VDS）和转移特性曲线（ID和VGS）。以N沟道结型场效应三极管为例，其特性曲线如图3.4.4所示（ ）。 3.4.2 绝缘栅型场效应管 绝缘栅场效应三极管简称MOS管（即金属-氧化物-半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semicondu