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Kink效应，寄生双极晶体管效应 26班 集成电路 学号 ：1210022614 姓名：赵莉 目录 1. Kink效应 2. 寄生双极晶体管效应 2.1 单管闩锁 2.2 GIDL电流增大 2.3 早期击穿 3.总结 1.Kink效应 图1给出了部分耗尽SOI NMOS器件的输出特性曲线，由图可见，在器件饱和区电流突然增加，曲线翘曲，这种现象称为“Kink 效应”，对于SOI PMOS器件，这种翘曲现象不明显。室温工作的带衬底接触的体硅器件和全耗尽SOI NMOS器件不出现Kink现象。 图1 部分耗尽SOI NMOS器件的输出特性曲线 对于部分耗尽SOI器件，在足够高的漏端电压下，沟道电子在漏端高场区获得足够能量，通过碰撞电离产生电子-空穴对，空穴向较低电势的中性体区处移动，由于源-体结较高的势垒，空穴会堆积在体区，抬高了中性体区的电势，使源-体结正偏。浮体上的正电位使阈值电压降低，漏端电流增大，由此进一步产生更多的电子-空穴对，在输出特性曲线中呈现Kink现象。 图3（a）部分耗尽SOI NMOS器件中的等势线分布；（b）全耗尽SOI NMOS器件中的等势线分布；（c）部分耗尽SOI NMOS器件中性区在Kink效应发生前（下面的曲线）和发生后（上面的曲线）从源到漏NMOS的电势分布；（d）全耗尽SOI NMOS器件中从源到漏的电势