新电子技术基础电工学Ⅱ 教学课件 李春茂 第1章 双极型半导体器件.pptVIP

电子技术基础 第1章 双极型半导体器件 1.1.1 本征半导体及其导电性 1. 本征半导体共价键结构 物质按其导电能力的强弱分类： 导体——容易传导电流的材料称为导体。 绝缘体——几乎不传导电流的材料称为绝缘体。 半导体——导电能力介于导体和绝缘体之间的称为半导体。 本征半导体——化学成分纯净的半导体。 由于绝大多数半导体的原子排列呈晶体结构，所以由半导体构成的管件也称晶体管。 3. 空穴的移动 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。 1.2.3 半导体二极管的参数和模型 1.半导体二极管的参数: 最大整流电流IF、 反向击穿电压UBR、 最大反向工作电压URM、 反向电流IR、 最高工作频率fmax和结电容Cj。 应用举例 例1.2.1:图(c), E=5V, Ui=10sinwt Ui?5V，二极管D截止Uo=E Ui?5V，二极管D导通Uo=Ui 例1.2.2:图(d) ,E1=E2= 5V, Ui=10s inwt Ui?5V D1 D2止 Uo= Ui Ui?5V D1通D2止 Uo= 5V -5V?Ui ?5V D1D2止 Uo= Ui Ui ?-5V D1止D2通 Uo= -5V 1.3.2 半导体光电器件 1.4.2 三极管电流放大原理 双极型三极管的参数 IC=f(Uce)? Ib=C Sect 3. 放大区 (1) IC平行于Uce轴的区域，曲线基本平行等距 (2) 条件：发射结正偏，集电结反偏， NPN管 UBE≥ 0 , UBC＜0 (3) Ic=?Ib, 即Ic主要受Ib的控制。有电流放大作用 (4) ? ≈ 2. 输出特性曲线 2. 截止区： (1)条件：发射结反偏，集电结反偏。 NPN：Ube?0.5V,管子就处于截止态 (2) Ib=0 Ic=Iceo 晶体管C、E之间相当于开路 1. 饱和区: (1) IC受Uce显著控制的区域，该区域内Uce的数值较小，一般Uce＜0.7V(硅管)。 (2) 条件： IB＞ IBs 临界饱和点： IBs= ICs /β Uces=0.3V左右, 晶体管C、E之间相当于短路 发射结正偏，集电结正偏 C E B Sect 例1.4.1. 所有的二、三极管均为硅管，用试分析图电路中各三极管的工作状态。 解: (1) VT1: 基极与最下端的电位差是1V-0.3V=0.7V，0.7V打不开二个硅PN结。所以三极管截止。 (2) VT2: 基极与最下端的电位差是6V-0V=6V，导通， 设此时UBE=0.7V，发射极电流 所以，集电极电位 集电极电位不可能为负值，三极管VT2已经饱和, 设UCE=0V，于是集电极电流最大为 (3) 对于VT3基极与最下端的电位差是5V-3.6V=1.4V， 基极电流 所以发射结导通。但是该三极管的集电极接+1.4V，而发射极接+3.6V，发射极和集电极互相接反了，属于倒置工作状态。一般而言双极型三极管的发射极和集电极是不能互换使用的。 Sect 1.4.4 三极管BJT的参数 1. 电流放大系数 共射直/交流电流放大系数 ? =?ic/?ib 共基直/交流电流放大系数 α=?ic/?ie (1).集电极基极间反向饱和电流Icbo Icbo的下标cb代表集电极和基极， O是Open的字头，代表第三个电极E开路。 (2).集电极发射极间的穿透电流Iceo 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流 2. 直流参数 Iceo=（1+ ）Icbo ICEO C B E μA μA ICBO C E B ① ICM —— 集电极最大允许电流 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的2/3时所对应 的最大集电极电流,当IC＞ICM时，三极管并不一定会损坏。 ② PCM —— 集电极最大允许功耗 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCB≈IC VCE ， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。 Sect ③反向击穿电压—— 表示三极管电极间承受反向电