新电子技术基础电工学Ⅱ 教学课件 李春茂 第8章 电力电子学基础.pptVIP

第8章 电力电子学基础 8.1 晶闸管(可控硅) 8.2 可控整流电路 2、电感性负载 8.2.2、单相半控桥式整流电路 例8.2.1:电 路如图 1 所示，交流电压的波形如图 所示 ，画出当控制角?= 90? 时，负载电阻两端电压的波形。 8.3 晶闸管触发电路 2、单结晶体管驰张振荡器 脉冲波形： 周期性尖脉冲 脉冲电压频率：调节Rp (充电) 脉冲电压宽度：?=R1C (放电) 温度补偿电阻：R2 3、单结晶体管触发电路 控制角? ：由移相电位器Rp控制 Rp?——??，?? 由UG第一个尖脉冲决定 稳压管：为单结驰张振荡的电源消波作用—每半周第一 个脉冲的时间不受 电源电压波动的影响 同步变压器：保证每半周第一个脉冲的时间保持不变 1、双向触发二极管触发电路 8.4 晶闸管逆变电路 1. 初始状态：T1,T2截止, Uc=0 2. 触发T1通?N1,N2感应电动势E ?电容充电Uc=2E ?? N3感应电动势 E3=EN3/N1 ?产生电流IL 3. 触发T2通?电容电压反向加到 T1 ? T1止 ?电容反向充电 ? N1,N2感应电动势 - E ? N3电动势 - E3 ?电流 - IL 4. 直流变为交流：交替触发T1,T2 5. 交流变频：调节触发脉冲的频率 2、有源逆变 有源逆变条件： 外接电源EM ? 输出电压平均值Uo, 变流器控制角?=90? - 180 ?, 使Uo?0 8.5 功率(电力)半导体器件 8.5.1 电力电子器件 4.典型全控型器件 (3) 电力场效应晶体管(MOSFET) (4) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8.5.2 电力电子器件驱动电路 2. 典型全控型器件的驱动电路 Chap 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 8.1 晶闸管(可控硅) 8.2 可控整流电路 8.3 晶闸管触发电路 8.4 晶闸管逆变电路 8.5 功率(电力)半导体器件 电力电子学：是介于电力, 电子, 控制之间的边缘学科 8.1.1 晶闸管的基本结构和工作原理 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一起种大功率半导体器件。它具有三个PN结和四层半导体结构，由四层半导体的两端及中间层各引出阳极A、阴极K和控极G。 螺栓式晶闸管, 平板式的晶闸管 导通条件： UAK ? 0 VG ? 0 (导通后可去掉) 晶闸管是一个可控的单向导电开关 与二极管比: 正向导电受控制极电流的控制 与三极管比: 阳极电流与控制极不成比例关系 晶体管T2处于正向偏置，控制极与阴极间的电压产生控制极电流IG, 就是T2的基极电流IB2，经过T2管的电流放大作用，T2的集电极电流， 而IC2又是T1的基极电流，经过T1管的电流放大作用，T1的集电极电流 ，该电流又流入T2的基极再一次放大。这样，形成了强烈的电流正反馈，使T1、T2迅速饱和导通， 控制极未加正向电压时 导通时的特性 控制极加正向电压时 没有导通时的特性 + _ + _ 8.1.2 晶闸管的伏安特性 （1）当控制极UG=0，IG=0时，阳极和阴极之间加正向电压，此时晶闸管的三个PN结因有一个PN结处于反向偏置，其中只有很小的电流流过，这个电流称为正向漏电流，处于截止状态。 （2）当阳极正向电压U增加到某一数值时，正向漏电流突然增大，晶闸管不需触发电流就迅速从阻断状态变为导通状态。此时的阳极电压称为正向转折电压UBO。这种使晶闸管容易造成正向击穿，而使该元件损坏，不允许这种导通方式。 (3）当控制极和阴极之间加上正向UG时，有控制电流通过，若此时在阳极加正向电压，晶闸管就会在低于正向转折电压UBO的某个值，由阻断状态转入导通状态。 晶闸管导通后，通过很大的电流，这时管压降很小，只有1V左右，因此特性曲线靠近纵轴且陡直，与二极管的正向特性相似。在晶闸管导通后，若减小正向电压，正向电流就逐渐减少。当电流减小到某一数值时，晶闸管从导通状态转变为阻断状态，此时所对应的最小电流称为维持电流IH。 （4）当晶闸管阳极加反向电压