库仑阻塞和单电子3极管.pptVIP

第七章 库仑阻塞与单电子三极管 陈方韬 111163 库仑阻塞 纳电子学最基本的效应之一就是与将一个电子转移到纳米尺度材料区域引起的显著能量变化联系在一起的，它导致了所谓的库仑阻塞。 考虑一个由绝缘缝隔开的两个导体组成的最普遍的隧道结 电荷与电压成正比：Q=CV 一个电容器存贮的静电能为：E=1/2CV2=Q2/2C 对于最简单的平行板电容器 C=εA/d 7.1 纳电容中的库仑阻塞 考虑在两个金属表面产生一层绝缘层儿加工成一个小电容器，带电量为±Q Ei=Q2/2C 电荷是量子化的，但是电极板上的电容并未量子化 1）在电极板上存在着大量的电子 2）存在离散电荷 现在令一个电子从负极隧穿到正极，上极板电量变为Q+qe，下极板变为Q-qe 那么能量变为 存贮能量的变化量为 遂穿发生的条件是能量必须是有利的，即△E0 从而得出 由Q=CV的关系我们知道，这里的qe是小于0的 从而我们得出 根据能量守恒定律，静电势能的降低必然会导致电子进入另外一个电极板后位于费米能级之上，增加动能，则电压将会下降 对相反的极性重复分析我们发现，为了使遂穿发生，必须有 只有当电容器两极板间存在足够高的电压时才有隧道电流流过。这种效应称之为库仑阻塞。 充电能 以上的结果只对T=0K时成立，即不考虑温度的影响，在实际情况中，温度对库仑阻塞起着重要的作用。对于△E，我们放宽条件，需要充电能大于热能 或 如果上式不满足，电子获得足够的热能，以致于无法被电容器的充电能阻止 nqe 个电子发生遂穿： 7.2 隧道结 理想的将遂穿效应等效为一个漏电的电容器来考虑，可以模型化为一个理想的电容与一个电阻的并联。其中V为加在隧道结上的直流电压，I为电子遂穿产生的电流。遂穿电阻并非通常的电阻，而是概念上允许电子离散通过这个绝缘结。 Rt代表遂穿效应的强弱，应该足够大，以免遂穿电荷退局域化到电容的极板，也不能太大，以免遂穿不发生。 为了观察到库仑阻塞，我们要限制遂穿在一定的程度 由不确定关系 并联的RC电路的时间常数为 我们的到近似的不确定度为 于是得出 为了观察到库仑阻塞，我们实际上要考虑两个效应：电容值和遂穿几率。首先为了观察到，我们需要很小的电容值来获得足够大的充电能。对于平行板电容器： 我们看到，可以改变面积A和间距d来达到。以充电能的角度来看，如何得到小的电容值C并没有区别。然而，电子要能够遂穿过这个绝缘区域，厚度不能太大。 7.3 电流源激励的隧道结 7.4 量子点电路中的库仑阻塞 每个隧道结的电量： 则净电荷为 此时存贮的能量为 电路对这个转移电子的做功为 当有一个电子发生遂穿从结b到量子点上时候，能量，电量发生变化 从而得出发生遂穿的条件 同样如果遂穿发生在a结 当我们考虑Ca=Cb=C，n=0 有条件 充电能 考虑量子点电路的能带 假设第一个电子已经穿到岛上，考虑后来的第二个电子有 由能量变化的条件可知 对于n=0的条件有： 依次得到 m取正奇数 单电子三极管(SET Transistor) 单电子管逻辑 其他的SET与FET结构 碳纳米管三极管 应用包括： 1.碳纳米管在场发射器件中非常具有吸引力，自身导电率很高，是极好的电子发射源。同时具有纳米级别的尖端，可以把能量集中在很小的区域。这个极强的电场增强了透射过真空的几率 2.碳纳米管是天然的气体传感器。 3.碳纳米管可以用作纳米线或者纳米天线的候选材料。 半导体纳米线FETs与SETs 分子SETs与分子电子学 第八章 粒子统计和态密度 111163 陈方韬 态密度 即能量介于E～E+△E之间的量子态数目△Z与能量差△E之比，即单位频率间隔之内的模数 1、在3维有限区域中 低于某一能量En的态的数目等于半径为 球内的态的数目 由前面的知识，能量低于一定值的态的总数近似等于这个八分之一的体积