基于氧化锌材料和纳米器件及研究.pdfVIP

基于氧化锌的材料 和纳米器件研究 答 辩 人: 谢章熠 指导老师: 卢红亮 日 期: 2014年4月21 日 目 录 第一章 绪论 第二章 ZnO的第一性原理计算 第三章 Zn GeO 的第一性原理计算 2 4 第四章 InGaZnO /Si能带结构研究 4 第五章 ZnO/AAO新型发光器件 第六章 结论和展望 目录 2 第一章 绪论 第一个锗基晶体管（左）和 CMOS(Complementary FinFET横截面示意图 -Metal-Oxide- 第一个集成电路（右） Semiconductor) Ge transistor CMOS Scaling More than Integrated Down Moore Circuits Moore’s Law •Bardeen •Wanlass •III-V: GaAs, Brattain Sah, 1963 GaN Schockley, •C. Hu, •II-VI: ZnO 1947 FinFET, •2-D: Graphene •J. Kilby, 1999 1958 •etc. 第一章 绪论 3 II-VI族半导体的应用 光电器件 （发光二 太阳能电 极管、紫 池 外/可见光 探测器） SAW器件 压电效 应器件 随机激光 气体传 器增益介 感器 II-VI族半导 质 体的应用 透明导 高频电路 电电极 （高电子 迁移率器 传统场效 件）