+单晶电子衍射图的分析及标定..pptVIP

* 第2章 单晶电子衍射花样的分析与标定 FIGURE 2.13. Several kinds of DPs obtained from a range of materials in a conventional 100-kV TEM: (A) amorphous carbon, (B) an Al single crystal, (C) polycrystalline Au, (D) Si illuminated with a convergent beam of electrons. In all cases the direct beam of electrons is responsible for the bright intensity at the center of the pattern and the scattered beams account for the spots or rings that appear around the direct beam. 形成原理、典型衍射花样、花样特征 单晶电子衍射花样就是(uvw)*0零层倒易截面的放大像 电子束方向B近似平行于晶带轴[uvw]，因为θ很小，即入射束近似平行于衍射晶面。 反射球很大，θ很小，在0*附近反射球近似为平面。 倒易点阵的扩展。（因为使用薄晶体样品） 标定主要是指将花样指数