非晶硅%2f晶硅异质结太阳能电池制备技术研究.pdfVIP

华  中 科  技  大 学 硕 士 学 位 论  文    摘要 带本征薄层的非晶硅/ 晶硅异质结太阳能电池（HIT ：Hetero-junction Solar Cell with Intrinsic Thin Film ）采用等离子体化学气相淀积（PECVD ：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ）技术制备。通过使用背场、光陷阱等工艺优化手段，HIT 太阳能 电池在短短十几年时间内电池效率达到23% ，接近晶体硅电池的最高效率（24.7% ）， 由此可见工艺优化对于获得高效率太阳能电池、提高电池利用率是非常重要的。 本文着重研究了 HIT 太阳能电池铝背场制备工艺、单晶硅衬底表面腐蚀工艺以 及氮化硅保护膜制备工艺，对各个制备参数进行优化，获得工艺最佳数据，最后综 合各种优化后工艺制备 HIT 太阳能电池。 为降低太阳能电池成本，硅片厚度逐渐减薄。当少数载流子扩散长度大于硅片厚 度时，界面复合速率将会影响电池效率；而硅片变薄会使更多的光透过硅片无法得 到有效利用。铝背场可以降低界面复合，并将透过