p型zno薄膜胶凝胶法制备工艺及结构性能研究.pdf

中文摘要 子束缚能(60mev)，具备了发射蓝光和近紫外光的优越条件。它不仅具有与 GaN非常相似的特性，且在很多方面又有其独特性能。因此在紫外激光器件、 紫外光探测器、表面波导器件、气体传感器、透明电极、白光固态照明工程 以及环境污染治理等方面的应用具有巨大的潜力和诱人的市场前景。 在P型掺杂ZnO薄膜研究中遇到的共同难题就是如何解决P型ZnO薄膜的电 学稳定性。为了提高其电学稳定性，研究人员主要围绕改进薄膜制备技术尽可 能提高薄膜的结晶质量和探寻更适合的掺杂元素(包括共掺杂元素)以及掺杂 方法两个方面开展工作。 在优化制备工艺条件下，得到了C轴择优取向的六方纤锌矿结构的掺杂ZnO 薄膜。从样品的x一射线衍射谱(XRD)、表面和断面扫描电镜图片(SEM)及光致发 光谱(PL)分析可以看出在优化工艺条件下可以得到结晶质量优异的掺杂ZnO薄 膜。 根据溶胶凝胶技术的工艺特点，选择I族元素中的Li、Na和Cu作为主要 掺杂元素，选择N和F作为辅助掺杂元素，得到了Li、Na、Cu单独掺杂以及 Li．N双掺和Li．F共掺的五种掺杂Zn0薄膜。除了Cu掺杂以外的其它四种薄膜 均实现了比较稳定的p型掺杂，尤其是Li-N双掺和Li．F共掺两种薄膜的电学性 能更为优良。 在制备Na掺杂ZnO薄膜的研究过程中，重点考察了Na掺杂浓度、退火条 件以及过渡层对薄膜的结构、光学性能和电学性能的影响，初步得到了电学性 能比较稳定的P型Na掺杂ZnO薄膜。在优化制备工艺条件下得到的P型Na掺 gin2／V·s； 杂ZnO薄膜的电学性能为：电阻率2．5x102Q·cm；霍尔迁移率2．087x102 空穴载流子浓度1．16x10埔cm-3。 对于Li掺杂ZnO薄膜，重点考察了Li掺杂浓度和退火条件对薄膜的结构、 光学性能和电学性能的影响，得到了电学性能较稳定的P型ZnO薄膜。在优化 制备工艺条件下得到薄膜的电学性能为：电阻率1．10Q·cm；霍尔迁移率10．7 cm2／V·s；空穴载流子浓度5．32×10博锄一。 采用Li．N双掺杂法得到了性能较稳定的P型导电薄膜，薄膜的最佳性能参 数为：电阻率O．34c／．cm；霍尔迁移率16．43cm2N-s．载流子浓度2．79x1019cm一。 此外，我们制作了ZnO同质p-n结，所得同质p-n结具有较好的整流特性。 采用Li．F共掺杂法得到了性能较稳定的P型导电薄膜，薄膜的最佳电学性 能为：电阻率1．1x10。3Q．cm；霍尔迁移率273．6cm2N·s；载流子浓度2．10x1019 cm一3。 关键词：溶胶凝胶，P型ZnO薄膜，结构，光学性能，电学性能 Abstract ZnOisaII-VI semiconductorwithadirectwideband of3．37 compound gap at eV room anda wurtzite temperaturehexagonal structure．Asanew of type functional hasexcellentandelectrical exciton material，ZnO optical properties．With of ionizationof26meVatroom bindingenergy60meV(theenergy temperature)and ultravioletstimulated under strong emission，ZnO differentconditionscan p