钯掺杂非晶碳膜氧化硅硅异质结的制备及其光电特性的研究.pdfVIP

摘 要 论文利用磁控溅射的方法在n．Si(100)基片上成功沉积了钯掺杂的非晶碳薄膜 (a-C：Pd)，对其光敏特性(光伏特性、光电导特性和光诱导电阻位置敏感性)进行了 较为详细的研究。 较为详细的研究。我们发现：(1)室温条件制备的a．C：Pd／Si异质结材料表现出明显的 V，转换 光伏特性，在室温下，在15mW／饷2的白光照射下，其开路电压VoC为O．079 (2)在350oC下制备的a．C：Pd／Si异质结表现出了一个更高的转换效 效率T1=0．002％。 oC下制备的a-C：P邮i02／Si太阳能电池 率，1=0．91％。(3)由于天然的Si02的存在，350 V，短路电流(JSc)是3．5 有一个高达4．7％的转换效率，其开路电压(Vcd为0．33 报道过的a．C／Si异质结光伏电池。提出了相应的理论模型解释了上述现象。研究表明， a．C：Pd／Si02／Si结构在光伏电池领域有潜在的应用价值。 mW／锄2 其次，我们对a．C：Pd／Si02／si的光电导特性进行了研究。研究发现：(1)在1 的白光照射下，测得的光电流是暗电流的大约100倍。这说明样品有非常好的光敏感性。 (2)在1V的正向偏压下，我们发现样品的光电流和光照能量强度之间有一个很好的 mW／锄2的白光照射下表现出了一个高达2000倍的 线性关系。(3)a-C：Pd／Si02／Si在20 电导变化。这明显优异于曾经报道过的a．C基的异质结材料。提出了相应的理论模型解 释了上述现象。研究表明，a．C：Pd／siO狐’i结构在光电传感器领域有潜在的应用价值。 最后，研究了a．C：Pd／Si02／Si异质结的电阻对光照位置的敏感性。研究发现，在室 阻变化率。提出了相应的理论模型解释了上述现象。研究表明，a．C：Pd／Si02／si结构可 应用于测量位移、角度等传感器中。 关键词：非晶碳，异质结，光敏特性，光伏特性 PhotoelectricofPd PropertiesDopedAmorphous Carbon／SiliconDioxide／Snicon HeteroIjunctions Fabricated byMagnetronSputtering Ma Scienceand Ming(MaterialsEngineering) Directed by)沁eQingzhong Abstract nePd dopcd锄。巾houscafl)(m(a—C：Pd)films dircctcllrrent their magnetronsputterin舀锄dphotoV01taic and ofthefesistancewerestudied． light—inducedspatialsensitiVity The characteristicsofthe anda-C：Pd／Si werc photoVoltaic a—C：Pd／SiO邪i junctions studied．T1lea-C：Pd／si at room e