铋层状结构无铅电陶瓷的离子取代改性研究.pdfVIP

论文题目: 铋层状结构无铅压电陶瓷的离子取代改性研究 专 业: 材料物理与化学 硕 士 生: 赵 燚 （签名） 指导教师: 杜慧玲 （签名） 摘 要 铋层状结构无铅压电陶瓷具有较高的居里温度和良好的抗疲劳性能，因此在高温压 电应用及铁电存储方面具有广阔的应用前景。但是单一铋层状材料具有难以实用化的缺 点，因此本文采用生成固溶体和离子取代两种方法改善材料的电学性能，系统研究了材 料的结构特性与介电性能、铁电及压电性能的关系，对制备高性能且实用性的铁电材料 具有一定的指导意义。 本论文采用传统陶瓷制备工艺，成功制备了(SrBi Ta O ) (Bi TiTaO ) 陶瓷体系。该 2 2 9 x 3 9 1-x 体系形成了单一正交晶系铋层状结构，随着 SBT 引入量的增多，晶粒逐渐增大，结晶 度逐步提高，晶粒尺寸趋于一致。当 x=0.6mol 时，室温下的介电性能最优，此时 ε=131.6516 ，tanδ=0.01273 。SBT 含量的增多使晶体中A 位加权离子半径增大，同时离 子极化率减小，因此居里温度随之降低 （x=0.6 ，T =450 ℃）。 c 首次将钙钛矿结构与铋层状结构固溶制得(BaTiO ) (SrBi Ta O ) （0.05≤x≤0.3 ）陶 3 x 2 2 9 1-x 瓷。当x≤0.2时为单相铋层状结构，当x=0.3时形成了四方相。由扫描电镜可知，陶瓷样 品形成了铋层状结构与钙钛矿结构共存的固溶体。室温下BT-SBT 陶瓷的介电常数在 1kHz~100kHz范围内具有频率稳定性，tanδ维持在6.0×10-3数量级以下。BT-SBT系列陶瓷 具有弥散相变和频率色散特征，同时具有较大的弥散性指数α （＞1.6 ），具有典型弛豫型 铁电体特征。随着BT 含量的增加，陶瓷样品的居里温度T 均为650℃，远高于BT c （T =130 ℃）和SBT （T =335 ℃）的居里温度。当x=0.1mol时，ε=200 ，tanδ=0.00376 ， c c d33=12 p C/N，表现出优异的综合性能。 本文还采用了离子取代的方法对铋层状结构化合物进行改性研究。选用同主族的 Ba2+取代CaBi Ti O 中A 位的Ca2+ ，所形成的Ca Ba Bi Ti O 体系为四层的铋层状结 4 4 15 1-x x 4 4 15 构，Ba2+取代减小了正交畸变程度，降低了陶瓷样品的居里温度，提高了陶瓷在室温下 + + 的介电和铁电性能，还选用同主族的K 取代Na Bi Ti O 中A 位的Na ，样品均形成 0.5 4.5 4 15 + 单一相的铋层状结构，K 含量的增加，增大了晶格畸变，提了结晶度。由于烧结过程中 + + K 容易挥发，造成反应物配比中(K,Bi)空位的增加，使居里温度不随K 含量的变化，四 个样品的居里温度均为 660℃。样品的介电损耗峰值在低温处出现了弛豫峰，根据 Arrhenius 公式拟合可知，该弛豫过程是由于氧空位