高纯钽形变与退过程中微观组织结构及织构演变的研究.pdfVIP

英文摘要 摘 要 高纯Ta 溅射靶材广泛应用于电子信息产品制造业中，其微观组织均匀性、晶 粒尺寸大小以及晶粒取向分布对溅射性能有着直接的影响。为有效控制高纯Ta 溅 射靶材微观组织结构及织构，本文通过设计旋转135°周向交叉轧制方式，利用金 相显微技术（OM ）、X 射线衍射（XRD ）、扫描电子显微镜(SEM)和背散射电子衍 射技术（EBSD ）等分析表征手段，对高纯钽板材在不同方式（单向轧制和交叉轧 制）轧制过程中微观组织结构以及织构的演变进行了研究；并选取不同形变程度 交叉轧制板材，对其在不同退火制度下微观组织结构及织构的演变进行了研究。 取得的主要结论包括： ① 交叉轧制不同形变程度板材在1050℃真空退火60min 后，随形变程度的 增加，再结晶晶粒尺寸趋于减小，微观组织均匀性提高。 ② 单向轧制各形变程度板材均存在{111}112和{111}110织构，随着变 形程度的增加，{001}110和{112}110织构逐渐增强。形变程度为87%时，得 到典型的体心立方金属轧制织构。其中以{112}110织构最强，{111}112织构 次强，{111}110和{001}110织构织构较弱。 ③ 与单向轧制相比，交叉轧制各形变程度板材均未出现{112}110织构。 形变程度为87%时，? 取向线上的{111}112和{111}110织构明显增强。最后 一道次轧制方向在同一方向上的不同形变程度交叉轧制板材有着相似的织构。 ④ 交叉轧制形变程度为87% 的板材经等时（60min ）不等温（900℃、1000℃、 1100℃、1200℃、1300℃和 1400℃）退火，经 1300℃退火后，再结晶晶粒异常 长大，经1400℃退火后，晶粒尺寸趋于减小，发生了二次再结晶。 ⑤ 交叉轧制板材经不同退火温度退火60min 后，{001}100织构随退火温 度的升高逐渐减弱。900℃退火60min 后，? 取向线上织构较强，但在 1000℃时 减弱。其后随退火温度的升高，? 取向线上的{111}110和{111}112织构逐渐 增强。经1400℃退火60min 后，{001}100和{001}110织构消失。 关键词：高纯钽，交叉轧制，微观组织，织构，EBSD III ABSTRACT High purity tantalum sputtering targets are used widely in electronic information products industry. The quality of high purity tantalum sputtering targets is strongly affected by the homogeneity of microstructure and orientation distribution. In order to control the homogeneity of microstructure and texture of high purity tantalum targets more effectively, clock rolling with rotating 135° after each pass was used. The evolution of microstructure and texture during different rolling methods (unidirectional rolling and clock rolling) and different annealing process was investigated with optical microscopy (OM), X-ray diffraction, SEM and EBSD. The main conclusion found are as follows: ① After the clock rolled Ta annealed at 1050℃ for 6