sisiol;,2gt;纳米镶嵌薄膜光电性质的模拟计算分析.pdfVIP

中 文摘 要 Si／Si02纳米镶嵌薄膜光电性质的模拟计算分析 中 文 摘 要 本文使用第一性原理，采用基于密度泛函理论的CASTEP程序包，系统地研究 了Si、Si02及Si／Si02纳米镶嵌薄膜的几何结构、电子结构和光学性质。 分析单晶Si及包埋基质Si02计算所得的结构、能带、态密度和吸收谱。结果显 示，单晶Si的P轨道在费米能级处的态密度远大于S轨道在费米处的态密度，室温 几乎没有吸收。单晶Si及包埋基质Si02的计算结果，尤其是优化后的Si与Si02的 晶格参数与实验数据基本吻合，这说明本论文所选计算方法对研究Si、Si02及Si／Si02 纳米薄膜光电性质的可靠性。 建立Si／Si02薄膜模型，镶嵌的纳米Si粒中含有不饱和键。研究模型计算所得的 几何结构、能带、态密度和吸收谱。分析表明，位于约1．7eV的吸收峰是．0．59eV能 级上的电子向由价键畸变产生的1．2eV能级跃迁的结果。纳米Si粒中含不饱和键的 Si原子的P轨道对可见光区光的吸收有主要的贡献。同时由于这些缺陷在禁带引入 的局域能级，使价带、导带在费米面发生交叠从而晶体表现出导电性。 在方石英中包埋不同尺寸的纳米颗粒Si3及Si5，计算得到包埋Si3结构和包埋的 Si5结构的带隙分别为3．58Ev、3．25eV。结果显示，随着纳米颗粒的减小，能带的带 隙逐渐展宽。但对可见光区的吸收强度，包埋Si3结构比包埋Si5结构强，包埋Si3 结构的第一个吸收峰在约3．9eV处，包埋Si5结构的第一个吸收峰在约4．6eV处。结 果说明，改善Si／Si02薄膜的发光性质并不是单一的减小包埋纳米Si粒的尺寸，纳米 Si粒中的原子数与包埋基质Si02的比例也是一个重要的参数。针对本论文所建的模 型，分析表明，包埋纳米颗粒原子数n．si与基质Si02分子数之比为45．46％时，薄膜 对可见光区的吸收效果好。 分析，研究表明，镶嵌在Si02中的半导体Si的量子限域效应及界面缺陷能级对Si／Si02 薄膜的发光性能起了重要的作用。 关键词：第一性原理；密度泛函理论；价键畸变；态密度；量子限域 ABSTRACT 0N THESIMULATIoNCOMPUTATIONANDANALYSIS PROPERTIESoFTHE PHOTOELECTRJC SI／S102 NANOEMBEDDEDTHINFILMS ABSTRACT The structureand of structure，electronic Si， geometric opticalpropertise and nanoembeddedthinfilmswere Si02 Si／Si02 investigatedbyusing and whichisbasedonthe functional methodCASTEP density first-principles theory． The ofstatesand structure，bandstructure，densityabsorption geometric ofSi andmatrixwere resultsshowthat