向32nm迈进的光刻技术.pdfVIP

维普资讯 专题报道 · 电 子 工 业 专 用 设 苗 ■ · 向]己nm迈进的光刻技 童志义 (中国电子科技集团公司第四十五研究所 ，北京东燕郊 101601) 摘 要 ：概述 了用于45nm 节点的各种光刻技术发展现状及技术路线，结合国际半导体技术发展 指南(ITRS)和各公司最新宣布的研究成果，探讨 了各种光刻技术用于32nm 节点的可能性。 关键词：浸液式光刻；折射率；双重曝光；极紫外光刻；纳米压印光刻；曝光设备 中图分类号 ：TN305．7 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—4507(2007)04—0008—09 LithographyTechniquesfortheNodeof32am TONG Zhi—yi (The45thResearchInstituteofCETC，BeijingEastYanjiaoDevelopmentZone065201，China) Abstract：Thecurrentstatusand lithographyroadmap ofITRS 2006 isreviewedin thispaper，The trendsoflithorgaphyTechniquesforthenodeof32nm hasbeenapproachedwiththeroadmapofITRS andthenewestresultsofresearchannouncedin SPIE 2006OpticalMicrolithorgaphy symposium and ⅢDM 2007． Keywords：Immersion lithorgaphy；RerfactiveIndex；EUVL；Polarization Technology；DualExpo— sure；Imprint；ExposureTool 1 引 言 次曝光技术(DoublePatteming)、极紫外光~JI(EUV)、 纳米压印光刻技术(NIL)被人们反复提及，作为下 近 4O年来，光刻一直是半导体产业最引人注 一 代光刻技术 (NGL：NextGenerationLithorgaphy) 目的关键工艺，作为集成电路制造主流曝光技术的 5nnl以下工艺节点光刻技术成为各大设备 光学投影光刻技术，始终为摩尔定律的不断向前推 公司重点研究的项 目。 进而孜孜不懈地努力着。目前，193nmArF准分子 根据瑞利衍射定理R=k1A／NA，通过曝光波长 激光光刻作为主流制造技术仍被业界广泛使用。 的不断缩小和数值孔径的不断增大以及各种分辨 随着集成电路制造工艺的飞速发展，45和 32nnl 率增强技术的不断探索，将k因子逐步降低，现已 技术节点已成为近 2年人们谈论的热点。 目前，作 迎来了65nm半导体制造量产时代。作为技术先驱 为集成电路制造工艺中最关键的光刻工艺首当其 的光刻技术，现 已成功地进入 了45nm技术节点， 冲成为热点中的焦点。浸液式光~IJ(Immersion)、两 进而 向32nm技术节点迈进 。在 45nm器件的生产 收稿 日期 ：2007-03．28 ⑧ (总第147期)皿■衄