粉末冶金法制备-siclt;,pgt;al电子封装材料工艺与性能研究.pdfVIP

论文题目：粉末冶金法制备 -SiCp/Al 电子封装材料工艺与性能研究 专 业：材料加工工程 硕 士 生：于庆芬 （签名） 指导教师：王晓刚 （签名） 摘 要 -SiC /Al 复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、高化学稳定性、低密度等优异的 P 性能，在电子封装领域具有广阔的应用前景。粉末冶金方法具有两相混合均匀、成分控 制和材料成形均比较容易实现、可以获得高致密度的复合材料等多方面的优点，是制备 金属基复合材料，特别是颗粒增强金属基复合材料的常用方法，因此本文采用粉末冶金 方法制备体积分数为50%的 -SiC/Al 电子封装材料。 论文实验中根据振实密度、松装密度、空隙率测试结果，首次采用工业炉生产的平 均粒度为17.94µm 的 -SiC 微粉作为增强体制备铝基电子封装材料。实验中对 -SiC 微 粉进行 1100℃的高温氧化、HF 酸洗和200℃烘干的表面处理方法，除去SiC 表面的吸附 气体和水分并使其棱角钝化，提高了 -SiC 粉体的分散性，制备出了增强体分布均匀、 致密度高、孔隙少的 -SiC/Al 电子封装材料。论文研究了成型压力、烧结温度、热压压 力对材料热导率和热膨胀系数的影响，采用金相显微镜、扫面电镜和 X-衍射等方法研 究了材料的物相，组织形貌及致密度的变化。利用动态热机械分析仪测试了复合材料的 热膨胀系数，利用激光导热仪测试了复合材料的热导率，确定的比较理想的制备工艺参 数为成型压力320MPa、烧结温度1000℃、热压压力3 MPa 。 本文实验条件下制备的 -SiC/A1 电子封装材料具有比较好的综合热物理性能，在 -6 -1 -1 -1 20℃～150℃平均线膨胀系数为8.86 10 K ；在室温下其热导率为124 W m K ，可 满足大功率电子器件对封装材料的使用性能要求。 关 键 词：粉末冶金；电子封装材料；热膨胀系数；热导率 研究类型：应用研究 Subject Fabrication and ProPerties of -SiCp/Al Electronic Packaging Material by Powder- Metallurgy Specialty Material Processing Engineering Name Yu Qing fen （Signature ） Instructor Wang Xiao gang （Signature ） ABSTRACT With excellent high quality of high thermal conductivity, low expansion, high module, high chemical stability and low density, -SiC /Al composite enj oys great potential of P application in the realm of electronic packaging. Powder Metallurgy Method has the following advantages:mixing uniformity,component easily controlled,forming more easily,geting high density composite