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2015-12-01 发布于四川
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gan基led延生长工艺的研究.pdf

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gan基led延生长工艺的研究

摘要 GaN基发光二极管一经问世，由于其具有节能、环保、响应速度快、体积小等突出优点广泛应用于各个领域，同时其可靠性问题也引起了人们极大的关注。本文通过MOCVD 工作和成果如下：优化得到最佳掺杂剂流量； 2．改变量子阱生长过程中阱层的生长温度，采用PL谱和XRD分别对外延片的光学质量和量子阱的结晶质量进行了表征分析；试，结果表明当阻挡层的温度为960C时LED的光学性能最佳；垒层掺入In组分后，量子阱中位错密度降低、界面质量提高；同时，PL谱测试和芯片的光电测试结果显示量子阱垒层掺h样品的发光强度增强；人体模式静电击打测试结果表明量子阱内位错密度的降低使得漏电通道减少，导致芯片承受静电击打的能力增强； 5．采用图形化蓝宝石作为衬底生长LED外延片，并与普通蓝宝石衬底上外延生长的 PSSLED芯片的光学质量及抗静电可靠性得到大幅改善。光学质量可靠性关键词：LED外延生长 InGaN／InGaN多量子阱图形衬底 Abstract Abstract Featured andsmall basedon byenergy—saving，eco-friendly,fastresponse volume，LEDs GaNhavebeen usedeversincetheir hasalso widely comingout，meanwhile，itsreliability much this andESD ale drawn attention．In reliability paper,thebrightness improvedthrough aserialofMOCVD mainworkandachievementsareasfollows： experiments．The effect concentrationfor and 1．The of GaNon and doping n-typep-type crystallizationquality LED is whichthe flowis opticalpropertiesexperimentallystudied，throughdopant optimized． 2．The the of wellis the and temperatureduringgrowingquantumchanged，andopticalquality well ale PL andXRD crystallizationquality quantum analyzedby spectrum respectively． 3．The is PL and P—A1GaNlayergrowingtemperatureoptimized，followedby spectrum testsonLED itisfound