p型导电透明二化锡薄膜及其pn结构的制备和研究.pdfVIP

摘要 透明导电氧化物(TCO)薄膜因为具有在可见光区透明和电阻率低的特性， 被广泛的应用在各种光电器件中，如平面液晶显示器(LCD)、太阳能电池、节 能视窗、半导体器件、热电／光电材料中。二氧化锡(Sn02)薄膜由于具有对紫 外吸收系数大、可见光透光率高、化学性能稳定以及室温下抗酸碱能力强等优点， 成为了应用最广泛的TCO薄膜之一。目前已投入应用的TCO薄膜大多为n型电 子导电，P型空穴导电的TCO薄膜一直难有突破。如果能制备电学性能与n型 TCO薄膜相匹配的P型导电薄膜，不仅能拓宽TCO薄膜的应用范围，还可以制 各出透明pn结，成为光电子信息元器件领域的一项重大进步。 依据半导体物理理论，通过浅能级掺杂受主元素可以使氧化物薄膜实现P型 导电性能。在此理论基础之上，本文总结已报道成果并改进，研究了采用磁控溅 射法对不同类型的靶材进行溅射，通过掺杂浅能级元素Sb制备P型导电透明 Sn02：Sb(ATO)薄膜。通过控制溅射的工艺条件和对薄膜进行退火热处理，使 Sn02晶格中Sb有效替代Sn原予位置，形成受主掺杂，从而使薄膜具有P型导 电性能。实验发现，采用直流反应溅射合金靶，在氧气流量小于8sccm、衬底温 Scml。采用射频溅射法，对高纯氧化物陶瓷靶进行溅射并热处理，比直流反应 溅射法更易获得结晶良好、成分均匀、结构平整的P型导电ATO薄膜，热处理 温度对薄膜的导电性能至关重要。射频沉积的ATO薄膜在氩气气氛中热处理后， 形成金红石结构的Sn02晶体，可见光区的平均透过率在80％以上，且均为P型 导电。其中在650C热处理4小时的ATO薄膜具有最好的P型导电性能，相较 于已报道的其它P型导电薄膜，空穴载流子浓度高出l~2个数量级，达到 1．722x1020cm．3，电导率达到60．61S．cml。通过测试发现，热处理温度能影响受 主掺杂效率和薄膜的结晶结构，进而影响薄膜的P型导电性能。 此外，基于具有优良性能的P型导电ATO薄膜，与导电性能相匹配的n型 ZnO：A1(AZO)薄膜制备的异质透明pn结，开路电压7．40V，无反向漏电电流， 具有良好的整流特性。 关键词：磁控溅射法；ATO薄膜；P型导电；PN结 Abstract conductive are invarious oxide(TCO)filmsapplied Transparent widely assolar materialsand devices，suchcells，thermoelectric optoelectronic transparent tothecharacteristicsof inthevisible andlow electrodes，due transparency region tothe coefficientandvisible resistivity．Duehi曲ultravioletabsorption light of or at and transmittance，resistancealkalinity room chemical acidity temperature becameoneofthemost TCOfilms． stability,tiIldioxide(Sn02)film widelyapplied At filmsin are