基于AT89S52单片机的智能冲击电流计的设计和开发.docVIP

湖南省大学生研究性学习和创新性实验计划 项 目 申 报 表 项目名称: 基于AT89S52单片机的智能冲击电流计的设计与开发 学校名称 湖南理工学院南湖学院 学生姓名 专 业 性 别 入 学 年 份 电子信息工程 男 2010 电子信息工程 男 20 杨中华 电子信息工程 男 2010 电子科学与技术 男 2010 电子科学与技术 男 2010 项目一项，冲击电流计可以测量在暂短时间内流经它的脉冲电流所迁移的电量。本项目利用现代单片机技术与高速A/D芯片采用全新的思想设计与开发一套智能冲击电流计。下面以充满电的电容放电为例说明其设计思想。电容放电时其电量的变化情况如图1所示。冲击电流计测量暂短时间内流经它的脉冲电流所迁移的电量。如要测出t1~t2时间内迁移的电量，则在t1~t2时间内取样，利用高速A/D芯片通过单片机测出其电压值，计算出其电流值，乘以间隔时间，即可得到间隔期间的电量值，最后把所测得的电量Q累加起来，即得到所要的迁移电量。毫无疑问，取样间隔时间越短，测量精度越高，但对A/D芯片的要求也越高。 图1 电容放电情况 高电阻一般指以上的电阻，由于惠更斯电桥灵敏度有限，因此高电阻一般不能也不宜用它作精确测量。但用漏电法能比较精确地测量高电阻， 图 漏电法测高阻电路图将被测电阻与已知电容并联，先将电容器充电，然后将开关K断开，即不与接触