等离子体化学气相沉积.ppt

8 等离子体化学气相沉积（淀积）（PCVD） 材料学院 2014年10月 主要内容 1、CVD技术基础 2、第二代薄膜技术PCVD基本特征 3、PCVD装置 4、PCVD膜的基本评价 5、PCVD技术应用 1、CVD技术基础 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD），通常是指将气态物质经化学反应生成固态物质并沉积在基片上的化学过程。 反应式：A(g）+B（g）→C（s）+D（g） CVD的分类 按激活反应体系所采用的能量方式不同，分： 热CVD 等离子增强CVD(PECVD, PCVD) 激光增强CVD(LECVD) 光CVD 常规CVD优缺点 最早应用的是热激发的常压CVD，其反应温度大多在1000℃以上。 优点： 可制作金属、非金属及多成分合金薄膜 成膜速度快，能同时制作多工件的均匀镀层 在常压或低真空进行镀膜的绕射性好 纯度高，致密性好，残余应力小，结晶良好 获得平滑沉积表面 辐射损伤低 缺点 反应温度太高 常压CVD虽已有种种应用，但高温工艺是其制约： 限定了化学薄膜合成的应用范围。对高温下易分解或者不稳定的物质不适用； 生成的薄膜易受高温热损伤，影响膜的性能； 对于基片的要求比较苛刻，使得选择余地少，成本增加； 能源消耗大，操作条件差。 因此，CVD技术低温化是一直寻求的目标！ 解决办法： 利用金属有机化合物做源物质的化