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磷和铟掺杂的CdS纳米带及其场效应特性的研究 摘 要 CdS是重要的II．Ⅵ族材料之一，在室温下禁带宽度为2．42eV，具有其独 特的性质和广泛的应用前景引起了科学界的浓厚兴趣。CdS纳米带合成与性 质的研究，特别是基于它的光电二极管、传感器和场效应管等器件的性能研 究成为了热点。掺杂作为一种改善材料性能的重要手段，对深入研究CdS纳 米带的性质与应用起到了重要作用。近来，Co、Mn、Fe、Hg和C1等元素掺 杂对CdS的结构、性质的影响已经被报道。但是，到目前为止磷掺杂CdS纳 米带及其器件的性能还很少被报道；铟掺杂CdS纳米带的研究虽然有所报道， 但是其电传输能力还需要进一步探索。 本实验分别热蒸发铟金属颗粒、红磷粉末和硫化镉粉末合成铟掺杂和磷 重度、轻度掺杂的CdS纳米带，并利用合成的纳米带构造场效应管，研究铟 掺杂和磷掺杂对CdS晶体结构及其器件性能的影响。本文的实验成果主要包 括以下几点： 1、分别利用热蒸发铟金属颗粒、红磷粉末和硫化镉粉末合成了铟掺杂和磷掺 60～140 J．tm之间、宽度在24-tm之间、厚度在30～60nm之间。 2、根据成分分析和结构分析结果证明了掺杂元素In和P分别掺杂进入CdS 纳米结构取代了CdS晶体中Cd和S的晶格位置，由于掺杂元素原子半径 均大于被取代的原子半径，从而引起了CdS晶体的晶面间距的增加，并可 以定量的计算掺杂前后CdS晶格常数的变化。当In掺杂时，晶格常数a 7 从4．129A增加到4．31A，常数c从6．707A增加到7．146A。当磷从轻 A增加到4．132 度掺杂变化到重度掺杂时，晶格常数a从4．126 A，晶格常 7A。 数c从6．692A增加到6．71 3、实验构造的场效应管中In／Au电极与铟或者磷掺杂CdS纳米带之间是欧姆 接触。铟和磷掺杂使单根纳米带的载流子浓度增加，电导率增大，有的甚 至增加了3个数量级。在改变栅电压下测量Ia。～Va。曲线发现，两组实验中 合成的纳米带场效应管的电导都随栅压的增加而增加，由此可知合成的铟 和磷掺杂CdS纳米带均是n型半导体。分析合成的CdS纳米带是n型半导 体的原因，可以解释为自补偿效应产生的大量电子，尤其在合成过程实验 4 载流气中的氢气的带入可能增强了自补偿作用的效果。 4、本实验中合成的单根铟和磷掺杂CdS纳米带中的载流子浓度都较大，场效 应管的开关电流却相对较小，但电子迁移率却达到了很高水平。当磷重度 cm2／Vs。 本论文利用热蒸发法合成了铟和磷掺杂CdS纳米带，并基于合成的纳米 带成功地制备了场效应管，并较为系统地探讨了铟和磷掺杂CdS对其晶体结 构和电传输性能的影响，为研究掺杂CdS纳米带的性质及其器件应用提供了 参考依据。 关键词：CdS纳米带；热蒸发法；掺杂；场效应管；自补偿效应。 onfieldeffect ofCdSnanoribbons Study properties doped with andIndium Phosphorus ABSTRACT witha of CdSisoneofthemost materialsband—gap importantII-Ⅵgroup more becauseofits 2．42eVatroom