钛酸钡基陶瓷微构的正电子研究.pdfVIP

钛酸钡基陶瓷微结构的正电子研究 摘 要 annihilation 正电子湮没谱学(Positron 核技术应用于固体物理和材料科学研究的技术，还可应用与化学和生物等 学科。因其无损、灵敏度高等特点，而在材料微缺陷研究中得到了广泛的 应用和越来越多的重视。 x)BaTi03_x 型压力，不同烧结温度下样品的陶瓷片的符合正电子湮没辐射的Doppler展 宽谱和正电子寿命参数；结合测量结果对成分、成型压力、烧结温度等对 陶瓷样品微结构的微观作用机理进行了探讨，得到了如下结论： 没辐射Doppler展宽商谱的谱峰值减小，产生如此变化的原因是钙钛矿结构 中的B位的两种离子无序分布导致内部化学组分不均匀，成分的不均匀促 使陶瓷体中的缺陷浓度增加，从而使样品的Doppler展宽的商谱谱峰下降。 展宽商谱谱峰升高。成型压力高于20MPa的样品，其缺陷浓度比较低。产 生这样的结果的原因是压制压力使得生坯的致密度提高，孔隙率降低，原 子间的相互作用增强。因此，正电子与样品中的高动量电子湮没的概率增 加，引起商谱谱峰升高。 T 辐射Doppler展宽商谱谱峰升高。产生如此变化的原因是，随着烧结温度的 提高，原子迁移和空位回复加快使得样品内的缺陷浓度降低，导致Doppler 展宽商谱谱峰增高。 较低时，由于样品中颗粒之间孔隙较大，胚体收缩率较小，缺陷浓度较高。 例如，对烧结温度为1200。C的样品，其正电子长寿命成分的强度13的值较 高；其Doppler展宽的商谱谱峰较低。 (5)对(1--x)BaTi03--x 度较高时，孔隙率下降，致密度提高，胚体收缩率提高，样品内的微观缺 陷减少。正电子与样品中的高动量电子湮没的概率增加，其谱线峰值随着 烧结温度的升高而逐渐升高，而正电子寿命(t x、t2、t3)随着烧结温度的升 高而逐渐下降。 越高，商谱的峰值差比较大；但温度较低时，商谱的峰值差比较小。当样 变化范围均比较小。 关键词：钛酸钡基陶瓷正电子湮没多普勒展宽缺陷成型压力烧结温度 本文为国家自然科学基金(批准号和广西自然科学基金(批 准号：桂科回0832003)资助项目。 II THE MICROSTRUCTUREOFBARIUM CERAMICS MATERIAI。SSTUDIEDBYPOSITRON ANNIHILATION TECHNIQUES ABSTRACT Positronannihilation isa forsolidstate spectroscopytechnique physics andmaterialsscienceaswellas and its to chemistrybiology，sincesensitivity detect in defects and open—volume metals，semiconductors polymers． Inthis in two of paper,defectstypes special been studied．Thecoincidence 0．4，0．6，0．8)have systematically