cr掺杂zno膜的制备与光学性质研究.pdfVIP

摘要 具有纤锌矿结构的ZnO薄膜是一种性能优良的半导体光电器件材料，它在室温下 具有较大的禁带宽度和激子束缚能，是一种具有很大潜力和应用价值的紫外发光材料， 多年来一直受到物理、化学、材料和微电子等研究领域的重视。近年来，人们通过研究 发现，在ZnO半导体薄膜材料中掺入3d磁性过渡族金属离子，利用载流子控制技术可 使其成为稀磁半导体新型功能材料。ZnO稀磁半导体材料的研究在国际上已受到高度关 注，而此项研究在国内则尚处于初始阶段，针对目前大部分文献及报道集中在磁性研究 这一现状，本文系统研究了ZnO：Cr薄膜的晶格结构、表面形貌及光学性能，对发展ZnO 稀磁半导体材料及应用具有重要意义。 由于磁控溅射技术具有操作简便、反应条件可控性等优势，成为常用的ZnO薄膜 制备技术。本研究采用磁控溅射法在载玻片上制各了具有c轴择优取向的ZnO和掺杂浓 度分别为2％、3％、5％、6％和7％的ZnO：Cr薄膜，研究了掺杂浓度、衬底温度、退火 温度以及退火气氛对薄膜的表面形貌、结构及光学性能的影响。 研究表明：掺杂浓度、衬底温度、退火温度以及退火气氛对薄膜的结构和光学性能 都有影响。随着掺杂浓度的增大，ZnO(002)衍射峰向高角度方向移动，晶面问距减小， 晶格常数C减小，在375nnl和520nnl波长附近分别出现了紫外发光峰和绿带发光峰。 紫外光发射源于自由激子的辐射复合，绿光发射则源于氧空位和锌空位的缺陷能级，紫 外光和绿光的发光强度随着Cr含量的增加而降低，且紫外发光峰的位置稍有蓝移；在 吸收边基本没有影响；在氧气中退火时，随着退火温度的升高，Zno．98Cro．020薄膜样品 的紫外发光峰强度变大，绿光峰强度经历了先增强、后减弱的变化过程，这归因于退火 改善了薄膜的结晶质量。ZnO薄膜样品在空气中退火时，更有可能产生较多的氧缺陷。 因此，在制备ZnO：Cr薄膜时，在02气氛下进行600℃高温退火，可使由氧缺陷造成的 绿峰减弱甚至消失，从而获得ZnO：Cr薄膜的优良发光特性。 关键词： 磁控溅射Cr掺杂ZnO薄膜光致发光晶体结构 Abstract of semiconductoranda excitation ZnO large Wurtzite．structuredwide-band-gap materialfor atroom iSa semiconductor bindingenergy temperatureperfectperformance attentionsin hasarousedalotofresearch devices．Inthe decades，ZnO optoelectronic past as and the electronic．Recentlyusing manydomains，suchphysics，chemistry,material thediluted transition—metalionshave inZnofilmtomake controllingtechnique．3d doped andmore havebeen in