p-mbe法生zno薄膜及其结构和光学特性的研究.pdfVIP

中文摘要 摘要：紫外探测器、传感器、短波长发光和激光二极管等光电子器件，在光 通讯、光存储、显示等领域具有广泛的应用前景。而ZnO等宽禁带半导体材料是 非常有希望的侯选材料，因此ZnO的研究已经成为国内外研究的热点。 然而ZnO系列光电子器件没有广泛应用的关键问题有两个：～是P型掺杂问题， 二是能带匹配问题。但这两个关键问题都要求制备出高质量的ZnO薄膜。针对这 薄膜进行了探索，对ZnO薄膜的制备条件、结构特性和光学特性进行了较为系统 的研究。研究了生长条件对ZnO薄膜发光的影响，以获得生长高质量ZnO单晶薄 膜的要素。通过分析射频功率和02流量对样品发光的影响，得到了样品的最佳制 薄膜具有单一c轴取向、高质量的纤维锌矿晶体结构．而在吸收光谱中观测到自 由激子吸收和激子．LO声子吸收峰，这表明在ZnO薄膜中激子稳定的存在于室温。 室温下在光致发光光谱(PL)中仅观测到位于376nm处的自由激子发光峰，这表 明ZnO薄膜具有较高的质量和低的缺陷密度。 关键词：ZnO薄膜，P-MBE，光致发光，Raman散射 分类号：0433．4 拙丞銮亟太堂亟±堂僮i金塞 △垒￡!B△￡! ABSTRACT ABSrRAI?r． The devicesofultraviolet optoelectronic andlaser diode extensive in lightemitting eta，have applicationopticalcommunication， etc．Andthe证deband semiconductor as opticalmemory，display gap materials．such a candidatefor ofZnOhas zIlO，are it,therefore．theresearch becomethehot good bothhereandabroad。 ， topic arestilltwo beforeextensive ZnO However,therekeyproblemsthe of application series isthe theotherisaboutthe optoelectronicdevice,one p-tipedoping，and energy band solvethesetwo ZnOthinfilms arc matching．To keyproblems,high quality grown tiffs ZnOthin on mismatched required．In work,hi豳qualityfilms,grownhighly the radio sapphire(O001)substrates,a佗researched