碳纳米管薄膜制备场发射特性及研究.pdfVIP

中文捅雯 真空徽电予是八十年代藤期力发震越来的一门新兴学科，它兼有l龟囊空器{宰 和徽电子器件的优点，在场发射平面显示器、微波、毫米波器件和传感器等领域 商卷重要的应用髓景。而这必应用实现的前提就是找到实用的场致发射阴极。 碳纳寒管露发臻，；|超了全毽赛众多瓣擎家的广泛关注，英{茏嚣瓣电掌、力 学、磁学性能，可以在许多领域得到应用。尤其是它具有的大的氏径比，低功函 数，良好的导电性和纳米级的尖端，使它能够在相对较低的电压下就能长时间发 射电子，困此设认为是一释傀照熬场致发剡鞠强，已经应耀在诸垫l翔搦电子显徽 镜和透射电子震微镜等高分辨翠电子柬器件。并有望在场致发射平丽震示嚣中得 到广泛的应用。 本文全蕊分缯了碳纳米篱的结构，物性，应用。其中蓬点介绍了在场致发射 乎i|!嚣鬟示箍麓应爰。著夯终了磺翁米管静各耱翻蚕方法及英生长秘臻。其中，蓬 化热分解法(CVD法)因其设备简单，成本低，反应过程容易控制，生产的碳 纳米营质量可以保证，且产嫩高，成为目前制备碳纳米锗的主流方法。 零文综合考感了场发袈产垡兹焦耳热及Nottingham效应，零爨7袭热孚簿 时发射体的表丽温度，对单熬碳纳米管的场致发射电流谦行理论计舞，得磕单根 单壁硪纳米管的发射电流可达微安量级，为实验提供了理论依据。 本文通过在镀铝硅片上电镀催化到粒予和在硅片上毖空蒸镀NiCr合会作催 忧利，用催纯热分解法在醚片上翻备鑫了族缀米管薄藤，并对其送行了场发嚣磅 究，测到的场发射电流可达60肚4。场发射电流密度达到10mA／am2，轰击荧光 屏可产生明亮的光斑。对碳纳米管薄膜用氯气等离子体处理，可使碳纳米管薄膜 蠡勺玎霆场强显甍瓣甄，对碳纲米警薄簇进行老薅，霹缓蕊发袈电浚褥戮提裹，著 使其场发射稳定性增强。实骏中，还观察刘几种生长方式独特碳纳米管，为碳缩 水管的进一步威用打下良好的基础。 关键漏：碳藜米管，锚备，殇致发菇，罐亿热分解法(CVD法) ABSTRACT Vacuum nlieroeiectronicsisa haveboth ofvacuum risingsubject．It advantages and devicemicro—electronicscanbeinfieldemission device，and display，microwave madmillimeter-waveandSO we find On．Butmust thefield—emission device，sensor cathodethatcanbe i11 used practicalit)： Thediscoverofcarbonnanotubesattract scientists’S many attention．Carbon nanotubescallbeusedin duetoit domain haveexcellent many and havea ratioin naontubes magnetics。Carbon high length—radius，low electrical andnanometerCallemitelectron wOI“kfimctJon，goodconducliviiy tj岛jf in]ow time ithavebeenconsidere