侧面倾斜和粗糙化提高GaN基LED出光效率分析.pdf

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摘 要 在本论文中,通过对侧表面粗糙化和倾斜侧面的实验研究和 理论研究,提高氮化镓基发光二极管的侧面光出射效率。同时也 计算了氮化镓基发光二极管的侧面光出射效率。 在阐述人类白光照明的历史,现状和未来的基础上,提出了 发光二极管最终将代替其它所有的照明方式。接着回顾了发光二 极管历史和半导体材料的历史,展望了发光二极管的发展趋势。 另外,我讨论了发光二极管的发光原理,制造工艺过程也被 提及。重点介绍了提高发光二极管光出射效率的方法,比如说光 子晶体,蛾眼,表面等离子激元,表面粗糙化,改变晶体形状和 激光剥离技术。 对本文实验方案做了理论分析。模拟了光线在氮化镓基发光 二极管的传播。采用蒙特卡罗方法和光线追迹法计算了氮化镓基 发光二极管的出射效率,利用计算机辅助设计得到了确定的结果。 为实验成功进行,做出了理论保障。 利用感应耦合等离子体刻蚀的方法把光刻胶形状转移到氮化 镓基发光二极管上。开始,通过调节后烘光刻胶温度获得了不同 的水平面与侧面之间的角度。然后通过感应耦合等离子体刻蚀把 角度从光刻胶上转移到氮化镓上。通过光电化学湿法腐蚀,把侧 面粗糙化了。 关键词:发光二极管蒙特卡

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