《GaN薄膜的两步法制备及其物性转变的研究 Fabrication of GaN Film by Two Step Methods and Transformation of Physical Properties》.pdfVIP

第29卷第5期 无 机 化 学 学 报 V01．29No．5 2013年5月 CHINESE OFINORGANICCHEMISTRY 1019．1024 JOURNAL GaN薄膜的两步法制备及其物性转变的研究 梁 建★．1’2 刘海瑞★，12 王晓宁l2董海亮l，2贾 伟12贾虎生l，2许并社12 (1太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室，太原030024) (2太原理工大学材料科学与工程学院，太原030024) 摘要：本实验通过水浴加热和简单化学气相氨化两步法．在旋涂有Zn0的Si衬底上成功合成了由排列整齐纺锤体形貌的 GaOOH构成的薄膜，然后在950℃下对样品进行氨化得到由排列整齐纺锤体组成的GaN薄膜。然后对氨化前后样品的形貌． Ga00H紧密排列形成，该纺锤体形状Ga00H有直径大约600 nm，长约为1．5．2斗m。氨化前后样品的形貌没发生太大的变化： 但晶体结构由正交晶系相Ga00H转变为六方纤锌矿GaN；而且发光峰也由较宽的绿光峰转变为中心为365nm的蓝光峰．这 机理以及Ga00H向GaN的转变过程发生的化学反应做了简单的探讨和分析． 关键词：Ga00H薄膜；GaN薄膜；水热方法；氨化 文献标识码：A 中图分类号：0649；TN304．23 文章编号：1001-4861(2013)05—1019一06 DOI：10．3969／j．issn．1001·4861．2叭3．00．121 Fabricationof Fnm GaN Two MethodsandTransfb咖ationof by Step PhysicalProperties LIANG LIUHai—Ruil。 Jian+’1。 WANG DONG Weil’2 Xiao—Nin91。 JIA Hai—Lian91’2 JIA XU Hu—Shen91。Bing-Shel’2 (1K0yL曲。删。叫矿，凡把d钮e＆拓Me帆d E，画聊e^愕流，4幽伽ed肘砒矗砒似弘帆‰如e邝毋矿扎c^肋幻矾 胧n蠡f可矿胧∽m幻n，姊M觎030024，吼in由 (2Co如ge矿M越eri砒5c拓舵e吼d E嚼船e^，强蹦y啪n‰如e瑙渺矿死c^加三og弘7越”娜l030024，c^i凡国 Abstract：TheGa00H6lm of GaOOH was fabricated composedspindle．shapedmicroparticlesfirstlv bv methodonSisubstratewithZn0 thenammoniatedat CVDmethodto hydrothemal spun panicles，and 950℃bv GaNfilm．The structureand ofthe beforeandafter giVe crystal morphologies，