模拟电子技术 作者 翟丽芳 2 第3章 场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

图3-32　题3-8图 图3-33　题3-9图 图3-34　题3-10图 图3-12　例3-1的图a)输出特性曲线　b)电路图 3.2　场效应晶体管放大电路 3.2.1　直流偏置电路及其静态分析3.2.2　场效应晶体管的微变等效电路3.2.3　场效应晶体管的三种基本放大电路 3.2.1　直流偏置电路及其静态分析 1.直流偏置电路2.静态工作点的确定 1.直流偏置电路 (1)自给偏压电路(2)分压式偏置电路 (1)自给偏压电路 图3-13　场效应晶体管的偏置电路a)自给偏压电路　b)分压式偏置电路 2.静态工作点的确定 例3-2　在图3-13a所示电路中，VDD＝30V，RD＝3kΩ，RS＝1kΩ，RG＝1MΩ，FET的IDSS＝7mA，UGS(off)＝-8V。试求UGSQ、IDQ和UDSQ。解　将数据RS＝1kΩ，IDSS＝7mA，UGS(off)＝-8V代入式(3-8)可得 3.2.2　场效应晶体管的微变等效电路 图3-14　场效应晶体管的微变等效电路a)微变等效电路　b)简化微变等效电路　c)高频模型 3.2.3　场效应晶体管的三种基本放大电路 1.共源极放大电路2.共漏极放大电路3.共栅极放大电路 1.共源极放大电路 例3-3　在如图3-16a所示电路中，已知VDD＝15V，RD＝5kΩ，RS＝500Ω，RG1＝300kΩ，RG2＝150kΩ，RG3＝2