模拟电子技术基础 作者 陈艳峰 第3章 场效应晶体管及其基本放大电路.pptVIP

2.使用注意事项 1)在MOS管中，除了栅、源、漏三极的管脚外，有的产品将衬底引出，因而这类管子有四个管脚，可让使用者根据电路的使用情况任意连接。2)场效应晶体管的漏极(d)与源极(s)可以互换使用，互换后其伏-安特性没有明显的变化。3)JFET的栅极、源极可以在开路状态下保存，注意使用时其栅-源电压uGS不能接反。4)焊接时，电烙铁必须有外接地线，以屏蔽交流电场，防止损坏管子。 3.2.4　场效应晶体管的主要参数及低频小信号等效模型 1.场效应晶体管的主要参数2.场效应晶体管的低频小信号等效模型3.场效应晶体管小信号等效模型参数的求取 1.场效应晶体管的主要参数 (1)直流参数(2)交流参数(3)极限参数 (1)直流参数 1)开启电压UGS(th)　定义为当uDS为某一固定值时，使iD大于零所需的最小|uGS|值。2)夹断电压UGS(off)　其定义与UGS(th)类似，指的是当uDS为某一固定值，使iD为规定的微小电流时的uGS值。3)饱和漏极电流IDSS　指uGS=0，|uDS|UGS(off)时的漏极电流。4)直流输入电阻RGS　在d-s之间短路的条件下，g-s之间直流电压与栅极直流电流的比值。 (2)交流参数 1)输出电阻rds2)低频跨导gm3)极间电容　指场效应晶体管三个电极之间存在的电容，即栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd和漏源电容Cds。 (