4h-sic外材料低位错密度关键技术研究.pdfVIP

摘要 摘要 以碳化硅(SiC)材料为代表的第三代宽带隙半导体材料具有宽带隙、高临界 击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，特别适合制作高温、高压、 大功率、耐辐照等半导体器件。其中4H．SiC材料以其优异的特性引起人们的广泛 重视。然而在晶体生长和器件制备过程中常会引入大量的缺陷，主要包括螺型位 对器件性能有着不同程度的影响。其中BPD对器件特性影响最为显著，因此也成 为近期研究的热点和难点。 国外已相继开展了降低BPD密度方法的研究，并取得了一定的成绩，但关于 降低BPD密度机理的研究还存在争议。国内尽管在4H．SiC材料外延生长方面已 取得一定的成绩，但由于起步晚，很多工作还没有开展。其中关于4H．SiC材料缺 陷表征问题的研究还很少，尤其对控制外延层中BPD密度方法的研究还没有文献 报道。基于以上问题，本文围绕降低外延层BPD密度外延生长开展相关研究工作， 主要的研究内容和创新性成果如下： CVD方法制备的偏8。同质4H．SiC外层中的缺陷进行无损测试后发现：晶体表面 分布着少量的三角形缺陷和萝卜型缺陷；晶体内部分布着大量的TED和少量的 特点的主要原因是阶梯流生长机制所致。同时还利用CL对缺陷的发光特性进行了 研究，并从实验角度证实了4H．SiC外延材料中绿带发光中包含BPD的推论。 (2)研究了位错的延伸和转化机理。研究结果为：TSD不能转化为TED而 BPD可以转化为TED。这是由于在转化过程中前者只满足能量最低却不能满足伯 格斯矢量守恒的条件，而后者可以同时保持能量最低和伯格斯矢量守恒的双重条 上对位错延伸和转化的机理研究结果，而且为位错密度控制方法提供了理论指导。 (3)利用选择性刻蚀实现了降低外延层中BPD密度的目的。在经过选择性 刻蚀后的N型4H．SiC衬底上采用常规CVD法生长同质非故意掺杂外延材料。测 试结果表明：经过选择性刻蚀后生长的外延材料的BPD密度比常规方法外延生长 BPD密度降低了31％(由1．7X104／cIn2降到5．3×103／cm2)。 (4)研究了利用选择性刻蚀外延生长的材料中BPD延伸和转化结果以及外 120方向的BPD在外延生长中 延层中BPD形成机理。结果表明：在衬底中沿1 一2 4H．SiC外延材料低位错密度关键技术研究 原因分析认为局部的应力集中增加了该区域的弹性能，导致不易转化为能量较低 的TED。对比衬底和外延层同一位置后发现，衬底表面抛光引入的小缺陷可导致 新BPD的产生。由此提出了通过提高衬底表面质量可有效降低新BPD的成核密度。 (5)对外延层中原位SF的形成机理进行了研究。研究结果为：原位SF的 成核位不是TSD，而是衬底表面的杂质或微粒。实验还发现：采用选择性刻蚀生 长的外延层中原位SF的密度(5．0×103／cm2)低于常规生长的外延层中原位SF的 密度(5．7×104／Cm2)，为进一步降低原位SF密度提供有意义的指导。 关键词：4H．SiC材料，位错延伸和转化机理，外延生长，BPD，SF，缺陷无损表 征技术 Abstract Abstract Silicon third widebandsemiconductor Carbide(SIC)，thegeneration gap material， has as suchwide criticalbreakdown outstandingproperties bandgap，high field，higher thermal electronsaturationdrift itis conductivity，andhigh velocity，andparticularly suitablefor