ingan、in及其异质结构材料生长与特性研究.pdfVIP

摘要 摘要 长的特殊性和InGaN合金中的相分离等问题，阻碍了高质量InN基材料的制备。 近年来，随着氮化物半导体材料生长技术的进步和人们其生长机理认识的深入， 下，对InN基材料生长方法与特性进行了深入研究，研究成果如下： 采用低压MOCVD生长方法，通过生长工艺的优化，成功地制备出不同组分 的InGaN薄膜，并研究了生长工艺参数对材料特性的影响。 于In的结合和表面形貌的改善。在较高压强下，所制备的InGaN薄膜表面同时出 现螺旋型小丘和孔这两种典型的形貌；提高反应气体的V／Ill比，孔的密度和尺寸 均下降；提高温度可以加快生长速率，表面形貌变好，但牺牲了hl组分。 将InGaN薄膜材料引入到GaN异质结构中，通过生长工艺参数与结构优化， 成功地生长出InGaN沟道异质结构以及InGaN背势垒双异质结构。 InGaN作为沟道层时，测试结果表明，在低温势垒层结构下，得益于界面粗 糙度的减小，二维电子气的电特性提高，而InGaN层组分和厚度波动等质量问题 性和面密度均提高，但由于受到来自InGaN层的各种散射，迁移率下降。 ～ 长的探索研究。 对于蓝宝石衬底，高温氮化有利于形成较均匀和平坦的具有六角单相晶体结 构的小岛；对于在Si衬底，低温氮化反而有利于提高InN的成核几率，小岛的形 不同极性的缓冲层上的小岛形貌差异明显。 关键字：InGaNInN异质结构MOCVD 1I InGaN、InN及其异质结构材料生长与特性研究 Abstract InN andInGaN the alloypossess resultofthe promisingapplication．However,as difficultiesin forInNand like special growth specificproblems for phraseseparation ishardtofabricatethe lnGaN，it InN．based highquality technicalof nitride andthe progressfabricating ofthe compounds deepenedrecognition mechanismhavelaida foundationtoobtainthe growth good InN。basedmaterialsof and In main high content．Theresearchofthis focused qualityhigh paper onInN．based materialsandcharacteristics．The mainresultsinthe areasfollows：