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论文题目：ZnO 晶体PVT法生长热动力学分析 学科专业： 微电子学与固体电子学 研 究 生： 吴盼儒 签 名： 指导教师： 马剑平 副教授 签 名： 摘 要 GaN SiC 在宽禁带半导体领域中，继 和 之后的研究热点是一种在蓝光、紫外、近紫 外波段的光电子器件极具潜力的光电子材料，ZnO。它是一种集半导体、发光、压电、 电光、闪烁等多种功能为一体的晶体，它有着比GaN高两倍的激子结合能（60meV）， GaN SiC 有着良好的抗辐射性能，可以工作在太空或核应用等恶劣的环境中。随着 、 等 新型光电材料产业的迅速发展，人们需要更多的应用于蓝紫外激光器、探测器、抗辐射、 耐高温、大功率的电子器件材料，因此，对大尺寸、高质量的ZnO 晶体需求也越来越高， 同时也加大了人们对ZnO 晶体生长研究的高度重视。 本文首先介绍了ZnO 晶体生长的几种方法，并比较了各种方法的优缺点，然后运用 基于有限元分析和多物理场耦合分析的软件CFDRC建立了适合模拟分析的三维PVT法 生长ZnO 晶体的生长系统的热动力学模型，并在此基础上，根据PVT法生长ZnO 晶体 的特点，设计了ZnO 晶体PVT法生长所需的刚玉坩埚结构、合适的放置位置，对生长 系统的热场进行了数值模拟。然后，结合实际的生长炉设备的材料参数，设计了合理的 生长腔温度和压强，对不同温度和压强下的ZnO 晶体生长速率进行了数值模拟。最后， 根据优化后的坩埚模型，分析了生长炉内的氩气流的分布情况，和生长腔内各组分的分 压，及入口通入氧气和氩气的混合气体对生长腔内各组分的分压和ZnO 晶体生长速率的 影响。 通过上述的数值模拟，把优化后的工艺参数应用到实际实验中，为实验提供了理论 的帮助，而且实验结果也验证了模拟的正确性，最终生长出提高了生长速率的ZnO 晶体。 关键词：PVT；ZnO；数值模拟；温度梯度；生长速率 III Abstract Title: TheZnOcrystalPVTgrownnumericalsimulationof thermodynamicandkinetic Major: MicroelectronicsandSolidStateElectronics Candidate: PanruWU Signature: Supervisor: Associateprof.JianpingMa Signature: Abstract FollowingGaNandSiCwidebandgapsemiconductorfieldresearchfocu i aBlu-ray， ultravioletandnear-ultravioletbandoptoelectronicdevice potentialoptoelectronicmaterial ， ZnO. It i a set of crystal semiconductor light-emitting， piezoelectric， electro-optic， flashingandotherfunction intoone itha than GaNtwice a high a the excitonbinding ， energy(60meV)， ha agoodradiationresistance， canwork