自组装单分子膜的末端功能基团对化学气相沉积铜薄膜的影响.pdf

摘要 摘要 铜具有很好的导电性和抗电迁移能力，是一种理想的多级金属化形成的超大 规模集成电路(uLsI)中的导线材料。在100rim以下铜金属互连技术中，需要 使用厚度5rim的扩散阻挡层来阻止铜扩散进入相邻的电介质，并且增强铜在基 材表面的附着能力。目前，特别是在高深宽比的条件下，传统的阻挡层材料如钽， 氮化钽，氮化钛等无法形成厚度小于10nm的均一的连续的薄膜。 自组装单分子膜(SAMs)可以通过改变其链长和末端功能基团来形成超薄 的具有特定性质的薄膜，因此被广泛的应用于分子器件，平版印刷术和微型仪器 等领域中。通过选择合适的末端功能基团，SAMs可以利用末端功能基团与铜之 间的相互作用来阻挡铜的扩散和增加铜在基材表面的附着能力，是一种理想的扩 散阻挡层材料。 本论文在自行设计、组建的金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统上，以 装单分子膜(SAMs)改性基材上进行化学气相沉积铜薄膜，并对得到的铜薄膜 的性质进行了分析和比较，研究自组装单分子膜的末端功能基团对化学气相沉积 铜薄膜的影响。论文主要由以下三个部分组成： 一、在PTMS自组装单分子膜改性基材上进行化学气相沉积铜薄膜的相关