多层硅直接键合术的研究.pdfVIP

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  • 2015-12-09 发布于贵州
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多层硅直接键合术的研究

摘要 ElectroMechaniefl 随着微电子机械系统MEMS(Micro System)的发展,现有的加 Direct 工手段对其设计和制造产生了诸多限制。将硅直接键合技术(Silicon Bonding,简 称SDB)加以拓展,就形成了多层硅直接键合技术。多层硅直接键合技术的出现和发展, 使复杂器件的加工成为可能。多层硅直接键合技术是制造三维结构的一项极具吸引力的 技术,在惯性器件、微结构和微系统方面有突出的应用潜力。虽然多层硅直接键合技术 应用范围很广,但是它对工艺环境要求极高,键合难度极大,工艺的可重复性和成品率 极低。目前对多层硅直接键合技术的研究还很不成熟,因此多层硅直接键合技术是一个 非常值得研究的新兴领域。 在已有的硅直接键合技术的研究基础之上,本文开展了对多层硅直接键合技术的研 究,着眼于解决工艺细节问题,

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