多孔硅气敏传感no2气敏性能改进研究.pdfVIP

摘要 多孔硅具有良好的绝热性、低温下的气体敏感性、发光特性以及电绝缘性等 被广泛应用于各种传感器中。随着微机械系统技术的快速发展，多孔硅在MEMS 领域也有着巨大的应用前景。 本文采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅，主要通过两种手段对多孔硅气敏元 件的性能进行了改进，一种采用紫外光辐照的方式；一种采用传统的掺杂工艺， 并分别对两种手段对多孔硅气敏性能的影响进行了分析和研究，为多孔硅在传感 器件中更广泛的应用奠定了基础。 在紫外光辐照下，多孔硅气敏元件的初始电阻快速下降，其中腐蚀电流密度 为80mA／cm2的多孔硅电阻变化最大，这主要由于其在三种样品中具有最大的比 表面积，比表面积越大，光生电荷效率越高，对紫外光照的响应也就越强。 多孔硅气敏元件在室温下对N02具有气敏性能，并且随腐蚀电流密度的增 加，即孔隙率的增加，对N02的灵敏度越高，响应恢复特性也越好。当由紫外 光辐照时，样品对同浓度的气体气敏性能都有所改进，这要归因于表面光生载流 子参与了表面吸附脱附反应，提高了多孔硅的气敏性能。 在多孔硅表面使用反应磁控溅射法进行Ti02或W03掺杂，形成多孔硅气敏 元件，制备的样品呈现疏松的表面形貌，存在大量相互连贯的沟道结构，在多孔 硅表面掺杂少量Ti02或W