大功率led应关键技术研究.pdfVIP

摘要 ‘ 大功率LED基于半导体二级管带隙发光，直接将电能转化为光能，具有可靠性高、 功耗低、寿命长、污染少、抗震能力强等优点，被世界公认为实现节能环保的重要途径 之一，将取代白炽灯、荧光灯，成为通用照明领域新光源。工作温度对大功率LED芯片 寿命、发光效率、稳定性等方面具有很大的影响。为了确保大功率LED正常工作，需要 针对芯片封装、散热、恒流驱动电路等关键技术，进行深入研究。 本文首先对大功率LED芯片进行了散热分析。基于ANSYS，针对某大功率LED芯片， 建立了热特性分析模型。从减少LED热阻、增加外部热管等方面，提出将外部散热结构 与芯片耦合封装一体化结构，从而可大大降低LED芯片温度。仿真结果证明，这种结构 可在很大程度上降低大功率LED芯片的温度，为其应用提供了可行的实施方案。 接着，针对美国某大功率LED产品，研制专用驱动电路。针对7安培、90W驱动电 路需求，分析了可调大电流驱动技术，指出基于PwM的电流调制方法是解决大功率LED 调光的最佳途径。基于LM3421专用芯片，研究了三种开关式变换电路，最终采取BUCK 电路，采用峰值电流的控制模式，输出电流具有极高的稳定性。电