微型计算机原理及接口技术 作者 赵全利 吕建平 邹雪艳 第5章 存储器.pptVIP

5.1 存储器概述 存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。 计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中，可以通过控制器发出的命令，对存储器进行读写信息。 1. 主存储器基本结构 2.存储系统层次结构 采用内部寄存器组、高速缓存、主存储器和辅助寄存器4级存储结构，以满足各种软件对时、空的需求。 （1）内部寄存器组 位于CPU内部，存取速度和CPU相当，其数量有限，常用来存放最近要用到的程序和数据或者存放运算产生的中间结果。 （2）高速缓冲存储器 高速缓冲存储器位于CPU内部（一级Cache）及CPU与主存储器之间（二级Cache），由高速缓冲存储器和高速存储控制器组成。其存取速度与CPU工作速度相当，但容量远小于主存储器。增加高速缓冲存储器的目的是为了减少对主存储器的访问次数，从而达到提高CPU的执行速度。 （3）主存储器 主存储器简称主存，计算机运行时，CPU需要执行的任何程序及操作的数据必须调入内存。 （4）辅助存储器 辅助存储器简称外存，属于输入/输出外围设备，容量大，但存取速度较慢。 3. 按存储器的性质分类 （1）RAM 随机存取存储器或读/写存储器，信息可以根据需要随时写入或读出。 静态RAM：即SRAM：静态存储器在计算机通电工作时，信息就能被保存，无需刷新，外部电路比较简单。但功耗相对较大。 。动态RAM，即DRAM：动态读写存储器（DRAM），速度快、集成度高、功耗小、价格低等特点，在工作时需要刷新。 （2）ROM 只读存储器，在一般情况下只能读出所存信息，不能重新写入。 ROM根据结构组成可分为以下五种类型： ① 掩模式ROM：该类芯片通过工厂的掩模制作，己将信息做在芯片当中，出厂后不可更改。 ② PROM：允许用户进行一次性编程，此后不能进行更改。 ③ 可擦除PROM：简称EPROM。一般指可用紫外光擦除的PROM。 ④ 电可擦除PROM：简称EEPROM，也称E2PROM。 ⑤ 闪存（Flash memory）：是一种新型的大容量、高速度、电可擦除的可编程只读存储器。芯片允许用户多次编程和擦除。 4.存储容量： 指存储器可容纳的二进制信息数。微机中存储器以字节为基本存储单元，容量常用存储的字节数多少来表示。常用单位有B、KB、MB、GB、TB等。 5 存取速度： 存取速度可以用存取时间或存取周期来描述。存取时间是启动一次存储器操作到完成该操作所需时间； SRAM速度最快，DRAM其次，ROM的速度最慢。 5.2 读写存储器（RAM） RAM全名为随机存取存储器。 RAM通常被作为操作系统或其它正在运行程序的临时存储介质。RAM在断电以后，保存在其上的数据会自动丢失。 1 静态随机存储器RAM 2114 RAM 2114为1K×4bit位的静态随机存储器。 A0~A9为地址码输入端； I/O0~I/O3为数据输入/输出端； CS为片选端，当CS＝1时，芯片未选中，此时I/O为高阻态；当＝0时，2114被选中，这时数据可以从I/O端输入/输出： R/W为读/写控制端，若R/W＝0则为数据输入，CPU写入数据 ；若R/W＝1，则为数据输出，供CPU读取。 2 动态存储器MN 4164 该芯片是一个64K×1bit的DRAM芯片。 A0～A7为地址输入线； RAS为行地址选通信号线，兼起片选信号作用； CAS为列地址选通信号线； WE为读写控制信号; Di为1位数据输入线； Do为1位数据输出线。 将8片4164并接起来，可以构成64KB的动态存储器，它们的结构如图： 8片MN4164组成的存储器 3 RAM的工作时序 为保证存储器可靠地工作，存储器的地址信号、数据信号和控制信号之间存在一种严格的时间制约关系。 （1）RAM读操作时序 其读出操作过程如下： ①将欲读出单元的地址加到存储器的地址输入端； ②加入有效的选片信号CS； ③读命令有效后，经过延时所选择单元的内容出现在I/O端； ④其后选片信号CS无效，I/O端呈高阻态，本次读出过程结束。 5.3 只读存储器（ROM） ROM（Read O